公开(公告)号：CN113540149B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202110787366.8

申请日：2021-07-12

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 王硕 ,  廖志敏 ,  林本川 ,  房景治 ,  俞大鹏

IPC: H10B99/00 ,  G11C11/02

Abstract: 本发明涉及存储器技术领域，具体地说，涉及一种可编程的多量子态存储器及制备方法，方法包括以下步骤：一、制备磁性拓扑绝缘体材料；二、对样品的性质进行表征；三、将生长的磁性拓扑绝缘体材料剥离至非导电的衬底上；四、制备出霍尔条构型的金属电极；五、点焊样品电极后，进行电学信号测量，同时通过变换磁场完成四个量子态的转变；本发明能提升存储密度，具有非易失和极低功耗的双重优点。

公开(公告)号：CN116033821A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202310032710.1

申请日：2023-01-10

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 房景治 ,  林本川 ,  王硕 ,  崔浩楠 ,  俞大鹏

IPC: H10N50/80 ,  H10N52/80 ,  H10N52/00 ,  H10N50/10 ,  H10N50/01 ,  H10N52/01

Abstract: 本发明公开一种范德瓦尔斯异质结型存储器件及其制备方法，属于微纳器件磁存储领域。异质结的下层为二维磁性拓扑绝缘体，上层为二维铁磁绝缘体。本发明基于Si/SiO2衬底，通过机械剥离和干法转移技术制备所述异质结。在电学测量中，通过施加不同的极化磁场或磁场扫描过程，利用电学输运性质测量可以得到幅值不变、稳定调节的磁交换偏置输运曲线，并且在很高的磁场下仍然保持稳定状态。本发明这种稳定且可控的交换偏置现象有利于未来发展基于磁随机存储原理的低维纳米芯片。

公开(公告)号：CN113540149A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110787366.8

申请日：2021-07-12

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 王硕 ,  廖志敏 ,  林本川 ,  房景治 ,  俞大鹏

IPC: H01L27/22 ,  G11C11/02 ,  H01L21/8239

Abstract: 本发明涉及存储器技术领域，具体地说，涉及一种可编程的多量子态存储器及制备方法，方法包括以下步骤：一、制备磁性拓扑绝缘体材料；二、对样品的性质进行表征；三、将生长的磁性拓扑绝缘体材料剥离至非导电的衬底上；四、制备出霍尔条构型的金属电极；五、点焊样品电极后，进行电学信号测量，同时通过变换磁场完成四个量子态的转变；本发明能提升存储密度，具有非易失和极低功耗的双重优点。