一种悬浮超薄三维双层手性超表面结构及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113654994A

    公开(公告)日:2021-11-16

    申请号:CN202110833015.6

    申请日:2021-07-22

    Inventor: 刘言军 岑梦嘉

    Abstract: 本发明涉及一种悬浮超薄三维双层手性超表面结构的制备方法,步骤为:S1、在氮化硅薄膜窗口的上下层涂布电子束胶,烘干;S2、在电子束胶上涂布导电胶,烘干;S3、采用电子束光刻写入由若干旋转对称图形单元组成的阵列,并显影;所述电子束是从氮化硅薄膜窗口的上层穿透至氮化硅薄膜窗口的下层;S4、显影完毕后,在氮化硅薄膜窗口的上下层蒸镀金属材料;S5、蒸镀完成后,对电子束胶进行剥离和冲洗,得到悬浮超薄三维双层手性超表面。本发明采用单次电子束光刻制备悬浮双层超表面结构的方法,大大简化了传统双层超表面的制备过程。所述悬浮超薄三维双层手性超表面结构的上下侧的金属块均可接触手性分子溶液,将大幅提高手性分子检测的灵敏度。

    一种悬浮超薄三维双层手性超表面结构及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113654994B

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202110833015.6

    申请日:2021-07-22

    Inventor: 刘言军 岑梦嘉

    Abstract: 本发明涉及一种悬浮超薄三维双层手性超表面结构的制备方法,步骤为:S1、在氮化硅薄膜窗口的上下层涂布电子束胶,烘干;S2、在电子束胶上涂布导电胶,烘干;S3、采用电子束光刻写入由若干旋转对称图形单元组成的阵列,并显影;所述电子束是从氮化硅薄膜窗口的上层穿透至氮化硅薄膜窗口的下层;S4、显影完毕后,在氮化硅薄膜窗口的上下层蒸镀金属材料;S5、蒸镀完成后,对电子束胶进行剥离和冲洗,得到悬浮超薄三维双层手性超表面。本发明采用单次电子束光刻制备悬浮双层超表面结构的方法,大大简化了传统双层超表面的制备过程。所述悬浮超薄三维双层手性超表面结构的上下侧的金属块均可接触手性分子溶液,将大幅提高手性分子检测的灵敏度。

    一种用于控制电磁波的装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115236901A

    公开(公告)日:2022-10-25

    申请号:CN202110435765.8

    申请日:2021-04-22

    Abstract: 本申请提供了一种用于控制电磁波的装置,包括:上电极层;下电极层;设置于上、下电极层之间的液晶层和第一超材料层,第一超材料层包括取向单元结构的第一阵列,取向单元结构的第一面的长宽比大于1,第一面为所述单元结构的背离所述液晶层的面,取向单元结构的第一面的长、所述第一面的宽、相邻两个所述取向单元结构的间隔距离为1nm‑5000nm。本申请所提供的装置,将超材料与液晶材料结合,可以构造一种兼具液晶取向与相位调控能力的电磁波调控装置。

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