公开(公告)号：CN111554780A

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN202010409014.4

申请日：2020-05-14

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 陈晓龙 ,  王琳 ,  王太宏 ,  宗新荣

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种具有异质结的中红外发光二极管及其制备方法，该中红外发光二极管包括：衬底；发光结构，包括设置在衬底上的黑磷薄膜与二硫化钼薄膜垂直堆叠形成的范德华异质结；以及分别与黑磷薄膜和二硫化钼薄膜连接的第一电极和第二电极；其中黑磷薄膜和二硫化钼薄膜的能带关系呈现交错方式的能带排列。本发明通过黑磷薄膜与二硫化钼薄膜进行垂直堆叠形成范德华异质结，这两种材料的能带关系呈现一种交错方式的II型能带排列，可以使异质结中电子和空穴有效分离，从而在电激励的作用下，能有效的调动黑磷薄膜的在中红外区的电致发光，得到简易、高效且硅基兼容性高的新型中红外发光二极管。

公开(公告)号：CN111554780B

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202010409014.4

申请日：2020-05-14

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 陈晓龙 ,  王琳 ,  王太宏 ,  宗新荣

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种具有异质结的中红外发光二极管及其制备方法，该中红外发光二极管包括：衬底；发光结构，包括设置在衬底上的黑磷薄膜与二硫化钼薄膜垂直堆叠形成的范德华异质结；以及分别与黑磷薄膜和二硫化钼薄膜连接的第一电极和第二电极；其中黑磷薄膜和二硫化钼薄膜的能带关系呈现交错方式的能带排列。本发明通过黑磷薄膜与二硫化钼薄膜进行垂直堆叠形成范德华异质结，这两种材料的能带关系呈现一种交错方式的II型能带排列，可以使异质结中电子和空穴有效分离，从而在电激励的作用下，能有效的调动黑磷薄膜的在中红外区的电致发光，得到简易、高效且硅基兼容性高的新型中红外发光二极管。