公开(公告)号：CN103278540B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201310148893.X

申请日：2013-04-25

Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 ,  清华大学深圳研究生院

Inventor： 王黎明 ,  项阳 ,  郭晨鋆 ,  赵宇明 ,  梅红伟 ,  李岩 ,  戴罕奇

IPC: G01N27/04

Abstract: 本发明提供了一种对高压绝缘子等值盐密测量的方法，包括：将待测的高压绝缘子表面均匀分区，在每个区域任意选取一处作为测量点；消除测量点处的憎水性；在消除憎水性后的测量点处喷一层水膜；测量测量点处的局部表面电导率；根据多个所述测量点处的局部表面电导率，得到平均局部表面电导率；根据所述平均局部表面电导率得到绝缘子的等值盐密值。本发明提供的方法，实现了在不破坏绝缘子污层结构的条件下，对具有强憎水性表面的绝缘子等值盐密进行测量，使得研究人员能够对相同的测试点进行长期的等值盐密测量，便于总结污秽积累的规律；并且该测量方法避免了其他方法在运输过程中带来的误差，提高了测量的准确性。

公开(公告)号：CN103278540A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310148893.X

申请日：2013-04-25

Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司

Inventor： 王黎明 ,  项阳 ,  郭晨鋆 ,  赵宇明 ,  梅红伟 ,  李岩 ,  戴罕奇

IPC: G01N27/04

Abstract: 本发明提供了一种对高压绝缘子等值盐密测量的方法，包括：将待测的高压绝缘子表面均匀分区，在每个区域任意选取一处作为测量点；消除测量点处的憎水性；在消除憎水性后的测量点处喷一层水膜；测量测量点处的局部表面电导率；根据多个所述测量点处的局部表面电导率，得到平均局部表面电导率；根据所述平均局部表面电导率得到绝缘子的等值盐密值。本发明提供的方法，实现了在不破坏绝缘子污层结构的条件下，对具有强憎水性表面的绝缘子等值盐密进行测量，使得研究人员能够对相同的测试点进行长期的等值盐密测量，便于总结污秽积累的规律；并且该测量方法避免了其他方法在运输过程中带来的误差，提高了测量的准确性。