公开(公告)号：CN1239424C

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200410019723.2

申请日：2004-06-21

Applicant: 南开大学

Inventor： 孙骞 ,  崔国新 ,  李玉栋 ,  陆文强 ,  许京军 ,  孔勇发 ,  黄子恒

IPC: C03C21/00

Abstract: 本发明涉及一种对同成分铌酸锂晶片进行锂离子的扩散处理，特别是涉及提高铌酸锂中锂离子的浓度的工艺，以使晶片成为高锂浓度的近化学比铌酸锂晶片。本发明的技术方案是将同成分铌酸锂晶片置入坩埚中，用适量锂离子晶体粉末及钾离子晶体粉末将晶片覆盖，使离子晶体粉末熔化，熔液中，钾离子与锂离子数量比在0.2-0.5。并在熔融温度(1000-1200度)恒温1-200小时。随后，降温至室温，通过液体清洗和抛光，清理掉附着在晶片上的离子晶体残留物，最终获得高锂浓度的近化学比铌酸锂晶片，本工艺相对VTE来说，更为简单方便，更为经济。

公开(公告)号：CN1594169A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN200410019723.2

申请日：2004-06-21

Applicant: 南开大学

Inventor： 孙骞 ,  崔国新 ,  李玉栋 ,  陆文强 ,  许京军 ,  孔勇发 ,  黄子恒

IPC: C03C21/00

Abstract: 本发明涉及一种对同成分铌酸锂晶片进行锂离子的扩散处理，特别是涉及提高铌酸锂中锂离子的浓度的工艺，以使晶片成为高锂浓度的近化学比铌酸锂晶片。本发明的技术方案是将同成分铌酸锂晶片置入坩埚中，用适量锂离子晶体粉末及钾离子晶体粉末将晶片覆盖，使离子晶体粉末熔化，熔液中，钾离子与锂离子数量比在0.2－0.5。并在熔融温度(1000－1200度)恒温1－200小时。随后，降温至室温，通过液体清洗和抛光，清理掉附着在晶片上的离子晶体残留物，最终获得高锂浓度的近化学比铌酸锂晶片，本工艺相对VTE来说，更为简单方便，更为经济。