硅球聚多巴胺钴复合物衍生的富缺陷碳电极及制备和应用

    公开(公告)号:CN114538578A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202210267051.5

    申请日:2022-03-18

    Applicant: 南开大学

    Inventor: 李克勋 霍思璐

    Abstract: 本发明公开一种基于包覆硅球的聚多巴胺和硝酸钴复合物制备富缺陷碳基电极材料的方法,并将其应用于高效电容去离子除盐领域。具体的制作方法是先合成包覆硅球的聚多巴胺和硝酸钴复合物,然后在氩气环境下高温锻烧,洗涤获得富缺陷的多孔碳材料,再将多孔碳与导电剂炭黑、粘结剂PTFE混合,压覆在石墨纸上,干燥,制备成多孔碳电极,组成对称电容除盐装置。在电容去离子过程中,包覆硅球的聚多巴胺和硝酸钴混合物衍生的多孔碳除盐容量高达32.9mg g‑1,为其他对比碳电极的1.3‑2.0倍,且该电极吸附较稳定。采用本发明制备的富缺陷多孔碳材料作为电极材料可大大提高电容除盐装置的电吸附能力,在咸水淡化领域有良好的发展前景。

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