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公开(公告)号：CN117613128A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311641351.6
申请日：2023-12-04
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/074 , H01L31/18 , C23C16/24 , C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/40 , C23C16/30
Abstract: 本发明提出一种硅异质结太阳电池及其制备方法，该太阳电池为基于氧化物和硅薄膜双层载流子选择性接触的硅异质结太阳电池。该方法通过调控元素比例，并引入了氧化物与掺杂硅薄膜作为双层载流子选择性接触材料。该方法一方面采用无掺杂、宽带隙的载流子选择材料，引起较低的光学损失，有利于提高电池的光学性能；另一方面，氧化物载流子传输层能够与掺杂硅薄膜形成梯度场效应钝化结构，提高载流子选择性，并且促进了透明导电烟氧化物薄膜的结晶，有利于提高电池的电学性能。
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