公开(公告)号：CN112091418A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202010945697.5

申请日：2020-09-10

Applicant: 南开大学

Inventor： 吴强 ,  刘瑶瑶 ,  王俞萱 ,  黄松 ,  李志轩 ,  进晓荣 ,  符显辉 ,  周旭 ,  宋冠廷 ,  胡晓洋 ,  江欣达 ,  姚江宏 ,  许京军

IPC: B23K26/0622 ,  B23K26/082 ,  B23K26/122 ,  B23K26/14 ,  B23K26/70

Abstract: 本发明公开了一种宽禁带半导体表面深亚波长周期性条纹的制备方法。其是通过在宽禁带半导体材料表面预镀金属膜的方式辅助飞秒激光加工在辐照区域形成深亚波长周期条纹结构。利用金属/宽禁带半导体的复合结构，在飞秒激光辐照过程中，可以大大增强材料对入射光能量的吸收，提高飞秒激光与宽禁带材料的相互作用效率。该方法降低材料烧蚀阈值效果明显，形成的深亚波长条纹周期精细。本发明还具有工艺简单、适用性广、灵活性强等优点。通过对飞秒激光能流、脉冲数、加工区域图案设计可以实现宽禁带半导体上不同形状及不同空间周期的深亚波长条纹。