公开(公告)号：CN103904300A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201410095987.X

申请日：2014-03-14

Applicant: 南开大学

Inventor： 陶占良 ,  魏林 ,  王丽秀 ,  陈军 ,  程方益 ,  梁静 ,  李海霞

IPC: H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/38

CPC classification number: H01M4/362 ,  H01M4/134 ,  H01M4/387 ,  H01M4/628 ,  H01M10/0525

Abstract: 一种锂离子电池用锡基复合薄膜材料，由铜箔基底或泡沫铜基底和Sn-M薄膜叠加组成；Sn-M薄膜为由Sn、M两种元素组成单层结构的薄膜，其中Sn为α-Sn或β-Sn，M为Ti、Al或Zn，Sn-M薄膜厚度为0.01-10μm；其制备方法是，采用金属靶Sn和金属M同时溅射工艺，在铜箔基底或泡沫铜基底上制备Sn-M薄膜；该薄膜用作锂电池的电极材料。本发明的优点是：与纯Sn膜相比，金属M的加入抑制了锂离子在电极上的嵌入和脱出产生的体积效应问题，提高Sn的循环性能和薄膜负极的循环寿命；该方法制备薄膜工艺简单，不仅降低了生产成本，而且提高薄膜材料制备的可重复性，有望应用于高能、高功率的薄膜型锂电池。

公开(公告)号：CN103205724A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201310142768.8

申请日：2013-04-23

Applicant: 南开大学

Inventor： 陶占良 ,  王丽秀 ,  郭爽 ,  陈军 ,  李海霞 ,  程方益 ,  梁静

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 一种二硫化钼薄膜材料的制备方法，以MoS2靶材为原料，在氩气和硫化氢混合气体环境中，通过磁控溅射法在基底上制备MoS2薄膜，二硫化钼薄膜材料的厚度为0.1-10.0μm。本发明的优点是：通过在磁控溅射技术使用Ar气-H2S混合气和基底加热原位退火方式，可以保证MoS2薄膜实现均匀沉积并且S/Mo原子比保持在2∶1，增加溅射时间可以有效增加厚度，提高MoS2纳米薄膜产量；该方法简单快速，制备工艺简单，厚度可控，方法薄膜便于控制，为其在光电池、锂电池、固体润滑剂和其他方面的广泛应用提供了可能。