公开(公告)号：CN101510566A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200910068153.9

申请日：2009-03-18

Applicant: 南开大学

Inventor： 侯国付 ,  李贵君 ,  耿新华 ,  魏长春 ,  赵颖

IPC: H01L31/028 ,  H01L31/18 ,  H01L31/042 ,  C23C16/50 ,  C23C16/42 ,  B32B9/04 ,  B32B7/02

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种硅薄膜太阳电池用宽带隙N型纳米硅材料及其制备方法。所述材料为磷或砷掺杂的N型宽带隙纳米硅薄膜。首先将待处理样品放入高真空沉积系统中，利用等离子体增强化学气相沉积方法，通过有效控制辉光功率和硅烷浓度等沉积参数制备出相应的材料。本发明通过辉光功率和硅烷浓度等参数的优化，达到有效控制材料的结构特征和光电性能，利用晶粒尺寸减小带来的纳米效应获得高电导率、宽带隙的N型纳米硅。本发明的有益效果是：将这种宽带隙纳米硅用作非晶硅电池的掺杂层，可以显著增强电池的内建电场，大大提高电池的开路电压，从而得到高光电转换效率的非晶硅太阳电池。

公开(公告)号：CN101510566B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200910068153.9

申请日：2009-03-18

Applicant: 南开大学

Inventor： 侯国付 ,  李贵君 ,  耿新华 ,  魏长春 ,  赵颖

IPC: B32B9/04 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18 ,  H01L31/042 ,  C23C16/50 ,  C23C16/42 ,  B32B7/02

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种硅薄膜太阳电池用宽带隙N型纳米硅材料及其制备方法。所述材料为磷或砷掺杂的N型宽带隙纳米硅薄膜。首先将待处理样品放入高真空沉积系统中，利用等离子体增强化学气相沉积方法，通过有效控制辉光功率和硅烷浓度等沉积参数制备出相应的材料。本发明通过辉光功率和硅烷浓度等参数的优化，达到有效控制材料的结构特征和光电性能，利用晶粒尺寸减小带来的纳米效应获得高电导率、宽带隙的N型纳米硅。本发明的有益效果是：将这种宽带隙纳米硅用作非晶硅电池的掺杂层，可以显著增强电池的内建电场，大大提高电池的开路电压，从而得到高光电转换效率的非晶硅太阳电池。