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公开(公告)号：CN114749674B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202210442581.9
申请日：2022-04-25
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种原位限域还原‑生长制备一维铋纳米带电催化剂的方法，将生长在基底晶体上的氧化铋纳米薄片在二维空间下进行原位限域还原，氧化铋由氢气还原并在二维空间进行生长，由于生长空间限域在二维空间，所得到的低熔点的铋在600℃高温下仍不会团聚，制得一维铋纳米带。本发明基于原位限域还原‑生长策略，能够高效大量制备一维铋纳米带，且解决了低熔点的铋在高温下易团聚、难以制备的问题，实现的铋纳米带结构稳定与催化性能稳定的目标。
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公开(公告)号：CN116750794A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310571795.0
申请日：2023-05-19
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种制备二维硫化铋催化剂的高温气相硫化方法，包括：(1)将铋盐溶于溶剂A制备均相的铋盐溶液；(2)将颗粒均匀的物质A粉末与铋盐溶液混合搅拌均匀，得到混合液；再干燥以除去溶剂A，得到混合粉末；(3)将混合粉末进行退火处理，使得铋盐分解为氧化铋，得到氧化铋和物质A的混合粉末；(4)将氧化铋和物质A的混合粉末置于惰性气体环境中，通过持续通入的惰性气体将硫蒸气携带至氧化铋和物质A的混合粉末处进行高温硫化反应；反应结束后完全去除物质A，得到硫化铋纳米片。本发明基于高温气相硫化‑生长策略，将铋盐热解得到的本体氧化铋直接进行高温硫化，实现二维硫化铋的直接生长。
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公开(公告)号：CN114749674A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210442581.9
申请日：2022-04-25
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种原位限域还原‑生长制备一维铋纳米带电催化剂的方法，将生长在基底晶体上的氧化铋纳米薄片在二维空间下进行原位限域还原，氧化铋由氢气还原并在二维空间进行生长，由于生长空间限域在二维空间，所得到的低熔点的铋在600℃高温下仍不会团聚，制得一维铋纳米带。本发明基于原位限域还原‑生长策略，能够高效大量制备一维铋纳米带，且解决了低熔点的铋在高温下易团聚、难以制备的问题，实现的铋纳米带结构稳定与催化性能稳定的目标。
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公开(公告)号：CN115433953A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211072883.8
申请日：2022-09-02
Applicant: 南开大学
IPC: C25B1/23 , C25B11/075
Abstract: 本发明公开了一种金属催化直接生长纳米碳负载金属单原子催化剂的方法，包括以下步骤：将物质A和物质B混合均匀，得到粉体；将粉体放入密闭加热环境中，在Ar/H2的混合气体氛围下加热至600～1000℃；然后向密闭加热环境中持续通入携带有碳源的Ar/H2的混合气体，通过Ar/H2的混合气体将碳源携带到粉体上，进行纳米碳的金属催化直接生长；生长结束后，自然冷却至室温；然后停止通入Ar/H2的混合气体，得到纳米碳负载金属单原子催化剂。本发明基于金属催化裂解策略，利用分散在高熔点基底中的金属盐为催化剂，通过金属催化裂解碳源，实现直接生长纳米碳材料的同时能够进行金属单原子的负载。
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