公开(公告)号：CN1413910A

公开(公告)日：2003-04-30

申请号：CN02149128.3

申请日：2002-11-27

Applicant: 南开大学

Inventor： 陈军 ,  李锁龙 ,  陶占良 ,  蔡锋石 ,  徐丽娜

IPC: C01G1/12 ,  C01G23/00 ,  C01G25/00 ,  C01G33/00 ,  C01G39/06 ,  C01G41/00

Abstract: 本发明涉及硫化物纳米管的制备，它是关于过渡金属MSx纳米管的制备方法及其在储氢、储锂和电极材料上的应用。MSx式中M为IV－VIB族过渡金属，如Ti，Zr，Nb，Mo，W等；X为1或2。该系列纳米管具有非常有序的层状管式结构，其长度可达3～5μm，内径为10～25nm，外径为25～60nm，层间距为0.57～0.63nm。经低温气固催化反应制备的高纯MSx开口、多壁或单壁纳米管有其独特的层状管式结构和大的比表面积。MSx纳米管是一种良好的可逆储氢及储锂的载体，特别是在电化学储氢及储锂时，有着快速充放电速度和优良的循环寿命，因而可应用于新型镍/氢电池及锂电池的开发。

公开(公告)号：CN1155522C

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN02149128.3

申请日：2002-11-27

Applicant: 南开大学

Inventor： 陈军 ,  李锁龙 ,  陶占良 ,  蔡锋石 ,  徐丽娜

IPC: C01G1/12 ,  C01G23/00 ,  C01G25/00 ,  C01G33/00 ,  C01G39/06 ,  C01G41/00

Abstract: 本发明涉及硫化物纳米管的制备，它是关于过渡金属MSX纳米管的制备方法及其在储氢、储锂和电极材料上的应用。MSX式中M为IV-VIB族过渡金属，如Ti，Zr，Nb，Mo，W等；X为1或2。该系列纳米管具有非常有序的层状管式结构，其长度可达3～5μm，内径为10～25nm，外径为25～60nm，层间距为0.57～0.63nm。经低温气固催化反应制备的高纯MSX开口、多壁或单壁纳米管有其独特的层状管式结构和大的比表面积。MSX纳米管是一种良好的可逆储氢及储锂的载体，特别是在电化学储氢及储锂时，有着快速充放电速度和优良的循环寿命，因而可应用于新型镍/氢电池及锂电池的开发。