一种含CuCl的KCl晶体材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN101665979B

    公开(公告)日:2012-01-11

    申请号:CN200910070501.6

    申请日:2009-09-21

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明涉及一种含CuCl的KCl晶体材料,利用溶析结晶方法制备。所制备材料是一种Cu+掺杂的KCl晶体或包埋有CuCl纳米团簇的KCl晶体,具有明显的缺陷荧光发射性能,可能成为潜在的发光材料。本发明所用设备简单,合成条件温和,且原料易得,适易工业放大生产。

    一种含CuCl的KCl晶体材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN101665979A

    公开(公告)日:2010-03-10

    申请号:CN200910070501.6

    申请日:2009-09-21

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 本发明涉及一种含CuCl的KCl晶体材料,利用溶析结晶方法制备。所制备材料是一种Cu + 掺杂的KCl晶体或包埋有CuCl纳米团簇的KCl晶体,具有明显的缺陷荧光发射性能,可能成为潜在的发光材料。本发明所用设备简单,合成条件温和,且原料易得,适易工业放大生产。

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