公开(公告)号：CN102569481B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201210022382.9

申请日：2012-02-01

Applicant: 南开大学

Inventor： 侯国付 ,  倪牮 ,  马峻 ,  刘飞连 ,  张晓丹 ,  赵颖

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/20 ,  B82Y40/00 ,  B82Y20/00 ,  C23C16/24 ,  C23C16/50

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种具有梯度型带隙特征的纳米硅窗口层，是在衬底上依次叠加有金属背电极M、透明导电背电极T1、n型硅基薄膜N和本征硅基薄膜I的待处理样品表面沉积形成，由硅薄膜P1、硅薄膜P2和硅薄膜P3依次叠加构成；其制备方法是：在较低的辉光功率下沉积厚度较薄的p型硅薄膜P1，然后逐渐升高功率沉积薄膜P2，最后在较高的功率下完成窗口层P3。本发明的优点是：该纳米硅窗口层用于n-i-p型硅基薄膜太阳电池的窗口层时，既可获得高电导和宽带隙，又能有效地减小太阳电池i/p界面的轰击，还可以实现本征层和窗口层之间的带隙匹配，显著提高太阳电池的填充因子、开路电压和光谱响应，从而得到高光电转换效率的硅基薄膜太阳电池。

公开(公告)号：CN102569481A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201210022382.9

申请日：2012-02-01

Applicant: 南开大学

Inventor： 侯国付 ,  倪牮 ,  马峻 ,  刘飞连 ,  张晓丹 ,  赵颖

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/20 ,  B82Y40/00 ,  B82Y20/00 ,  C23C16/24 ,  C23C16/50

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种具有梯度型带隙特征的纳米硅窗口层，是在衬底上依次叠加有金属背电极M、透明导电背电极T1、n型硅基薄膜N和本征硅基薄膜I的待处理样品表面沉积形成，由硅薄膜P1、硅薄膜P2和硅薄膜P3依次叠加构成；其制备方法是：在较低的辉光功率下沉积厚度较薄的p型硅薄膜P1，然后逐渐升高功率沉积薄膜P2，最后在较高的功率下完成窗口层P3。本发明的优点是：该纳米硅窗口层用于n-i-p型硅基薄膜太阳电池的窗口层时，既可获得高电导和宽带隙，又能有效地减小太阳电池i/p界面的轰击，还可以实现本征层和窗口层之间的带隙匹配，显著提高太阳电池的填充因子、开路电压和光谱响应，从而得到高光电转换效率的硅基薄膜太阳电池。