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公开(公告)号：CN119781190A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411958340.5
申请日：2024-12-30
Applicant: 南开大学
Abstract: 本申请公开了一种光学忆阻器，涉及光子集成电路和光计算领域，该光学忆阻器包括：波导层、铁电薄膜层、电极结构以及衬底；所述铁电薄膜层位于所述衬底的上表面；所述波导层和所述电极结构均位于所述铁电薄膜层的上表面；所述波导层用于传播入射光信号，并对所述入射光信号进行振幅调制；所述电极结构用于为所述铁电薄膜层施加电场；所述铁电薄膜层用于在所述电场的作用下对所述波导层中传播的光信号进行相位调制。本申请将铁电材料作为光学忆阻器的光开关，利用铁电材料的非易失性和高电光效应实现光相位的高效调制，同时具有低能耗和快速响应的优点。
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