一种碳二氮调控金掺杂石墨相氮化碳内建电场的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN119140146A

    公开(公告)日:2024-12-17

    申请号:CN202411350919.3

    申请日:2024-09-26

    Abstract: 本发明公开了一种碳二氮调控金掺杂石墨相氮化碳内建电场的制备方法及其应用。该材料在弱碱性水溶剂条件下,通过生成的氨基酰脲与金属离子配位络合,再与三聚氰胺以及三聚氰酸通过分子间氢键作用以及电荷相互吸引作用生成金属掺杂超分子前驱体,其进一步与碳二氮π‑π共轭堆叠形成碳二氮复合金属掺杂超分子前驱体,最后通过高温刻蚀制得碳二氮修饰的金掺杂石墨相氮化碳。本发明制备的改性石墨相氮化碳呈多孔薄片层结构,大大增加了其比表面积,具有更多的活性位点;同时金离子掺杂调控了其能带结构,增强了光吸收利用率;此外,带正电的金掺杂石墨相氮化碳表面与带负电的碳二氮表面耦合形成强电位点,促成更强的内建电场,提高了其光生载流子的分离效率,从而极大地提高了原有氮化碳的可见光催化降解罗丹明B的活性。

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