公开(公告)号：CN103325898B

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201210079422.3

申请日：2012-03-23

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 贾巍 ,  李相银 ,  邓君 ,  本杰明·里德 ,  陈振星 ,  王旭 ,  武红 ,  罗伯特·泰勒 ,  亚伦·丹尼尔 ,  蒋立勇

IPC: H01L33/06 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明公开了一种1.3μm波长的无偏振高效率发光量子点器件。我们采用在基底沉积全方向反射镜结构(DBR)，然后再沉积制备量子点(InAs/GaAs)，接着继续沉积以供刻蚀微腔的材料层。利用电子束曝光系统(EBL)与感应耦合等离子体刻蚀设备(ICP)，在顶层的材料制备出设计的环形空气孔光子晶体微腔。利用本发明设计的量子点发光器件，可以对1.3μm波长的横磁模(TM)与横电模(TE)均具有很高的品质因子和发光效率。本发明提出的发光量子点器件可以实现在1.3μm波长横磁模(TM)与横电模(TE)的高效率发射。

公开(公告)号：CN103325898A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201210079422.3

申请日：2012-03-23

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 贾巍 ,  李相银 ,  邓君 ,  本杰明·里德 ,  陈振星 ,  王旭 ,  武红 ,  罗伯特·泰勒 ,  亚伦·丹尼尔 ,  蒋立勇

IPC: H01L33/06 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明公开了一种1.3μm波长的无偏振高效率发光量子点器件。我们采用在基底沉积全方向反射镜结构(DBR)，然后再沉积制备量子点(InAs/GaAs)，接着继续沉积以供刻蚀微腔的材料层。利用电子束曝光系统(EBL)与感应耦合等离子体刻蚀设备(ICP)，在顶层的材料制备出设计的环形空气孔光子晶体微腔。利用本发明设计的量子点发光器件，可以对1.3μm波长的横磁模(TM)与横电模(TE)均具有很高的品质因子和发光效率。本发明提出的发光量子点器件可以实现在1.3μm波长横磁模(TM)与横电模(TE)的高效率发射。