公开(公告)号：CN111979561B

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN201910421706.8

申请日：2019-05-21

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 张侃 ,  刘家利 ,  邹友生 ,  缪佳明 ,  李晓璐 ,  毛君妍

IPC: C25B1/30 ,  C25B1/55 ,  C25B11/052 ,  C25B11/067 ,  C25B11/091

Abstract: 本发明公开了一种SnOx/BiVO4电极及其制备方法和在光电催化双氧水合成中的应用。所述方法先将氯化亚锡溶于乙二醇甲醚和乙酰丙酮的混合溶液中，超声并静置后，旋涂在钒酸铋光电极的表面，然后在氩气气氛下退火，在表面形成锡的氧化物钝化层，制得SnOx/BiVO4电极。本发明的SnOx/BiVO4电极，通过在钒酸铋表面负载锡的氧化物薄膜钝化层，可以减少表面钒酸铋的光腐蚀，增加钒酸铋的稳定性，提高电子空穴的分离效率，通过光电催化合成双氧水的法拉第效率高达90％。

公开(公告)号：CN111979561A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN201910421706.8

申请日：2019-05-21

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 刘家利 ,  张侃 ,  邹友生 ,  缪佳明 ,  李晓璐 ,  毛君妍

IPC: C25B1/30 ,  C25B11/06

Abstract: 本发明公开了一种SnOx/BiVO4电极及其制备方法和在光电催化双氧水合成中的应用。所述方法先将氯化亚锡溶于乙二醇甲醚和乙酰丙酮的混合溶液中，超声并静置后，旋涂在钒酸铋光电极的表面，然后在氩气气氛下退火，在表面形成锡的氧化物钝化层，制得SnOx/BiVO4电极。本发明的SnOx/BiVO4电极，通过在钒酸铋表面负载锡的氧化物薄膜钝化层，可以减少表面钒酸铋的光腐蚀，增加钒酸铋的稳定性，提高电子空穴的分离效率，通过光电催化合成双氧水的法拉第效率高达90％。