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发明公开
基于单边带时间调制的1-bit时序控制的高集成度无源移相器审中-实审

公开(公告)号：CN119210377A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411197580.8

申请日：2024-08-29

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 程国枭 , 王涛 , 马琪 , 王浪飞 , 张金栋 , 吴文

IPC: H03H7/20 , H01P1/18

Abstract: 本发明公开了一种基于单边带时间调制的1‑bit时序控制的高集成度无源移相器，设有差分正交信号发生单元、I路输入缓冲单元、Q路输入缓冲单元、I路矢量合成单元、Q路矢量合成单元、输出放大单元和数字时序控制单元。射频输入差分信号RFin+和RFin‑连接差分正交发生单元，差分正交发生单元连接输入缓冲单元，然后再经过I路矢量合成单元和Q路矢量合成单元进行矢量合成，输出放大单元的输出端也就是无源移相器的输出端，射频输出差分信号RFout+和RFout‑，数字时序控制单元控制I路矢量合成单元和Q路矢量合成单元的插损，从而实现数字控制移相功能。

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