公开(公告)号：CN119995401A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510023318.X

申请日：2025-01-07

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 朱俊武 ,  熊攀 ,  刘超 ,  张天宁 ,  王佳丽 ,  倪安琪 ,  车剑飞 ,  张文超 ,  孙敬文 ,  付永胜 ,  张琳 ,  陈龙 ,  毛昆鹏 ,  刘一凡 ,  刘至航 ,  彭兴 ,  樊金博 ,  黄洪澜

IPC: H02N3/00

Abstract: 本发明属于盐差产电技术领域，涉及一种用于离子高效传输的二维氧化物异质结构纳米流体膜，其步骤如下：将富含阳离子缺陷的二维氧化物异质结构材料制备成膜后设置在具有浓度差的两盐溶液之间作为产电器件，实现盐差产电。本发明首次实现将富含阳离子缺陷的二维氧化物异质结构作为盐差产电膜材料，具有非常优异的功率密度性能。

公开(公告)号：CN119995400A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510022515.X

申请日：2025-01-07

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 熊攀 ,  朱俊武 ,  刘超 ,  程祉郡 ,  高芳 ,  程马莉 ,  车剑飞 ,  张文超 ,  孙敬文 ,  付永胜 ,  张琳 ,  陈龙 ,  王佳丽 ,  彭兴 ,  刘一凡 ,  刘至航 ,  毛昆鹏 ,  倪安琪 ,  樊金博

IPC: H02N3/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于盐差产电技术领域，涉及一种用于离子选择性传输的二维双金属氢氧化物单层纳米片，所述的应用是指将阴离子型二维双金属氢氧化物单层纳米片制备成膜后设置在具有浓度差的两盐溶液中间作为产电器件，实现盐差产电。本发明首次实现将阴离子型二维双金属氢氧化物单层纳米片作为盐差产电膜材料，具有非常优异的功率密度性能。