公开(公告)号：CN102751903A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210245018.9

申请日：2012-07-16

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 高志山 ,  袁群 ,  朱波

IPC: H02N2/02 ,  H02N2/04

Abstract: 本发明涉及一种具有大伸长量的刚性直簧移相器，包括主底板、侧边锁紧装置、PZT固定装置和PZT元件，侧边锁紧装置位于主底板的两侧，PZT固定装置位于主底板的中间下方，并与PZT元件直接接触，两者成前后关系，其特征在于：其中主底板由弹簧结构、正向沉孔、反向沉孔以及位于中心位置的空腔组成；移相器通过正向沉孔固定在使用平台上，并通过反向沉孔与被移动器件固定，PZT元件通过PZT固定装置固定在空腔内；该移相器仅使用单PZT，以及结构简单的移相器机械装置（两组刚性直弹簧）就可实现准确、高灵敏度的大行程移相。

公开(公告)号：CN106405382A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610700230.8

申请日：2016-08-22

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 钱芸生 ,  叶琼 ,  郭一亮 ,  朱波 ,  王琦 ,  林宇轩 ,  徐华

IPC: G01R31/308 ,  G01R31/28

CPC classification number: G01R31/308 ,  G01R31/2825

Abstract: 本发明公开了一种低照度CMOS芯片性能测试系统，包括卤钨灯光源、电动狭缝、第一积分球、可变孔径光阑、第二积分球、暗箱、待测低照度CMOS芯片、光照度计和计算机；将低照度CMOS芯片置于暗箱中，卤钨灯产生的均匀光入射到低照度CMOS芯片的光敏面，经过计算机调节电动狭缝和可变孔径光阑改变光照度，设置芯片曝光时间，采集低照度CMOS芯片产生的图像信号，并将它转换成对应的电压信号，通过数据处理得到相应的参数值。本发明可以科学地评价低照度CMOS芯片的性能，为低照度CMOS的研制和生产提供依据。

公开(公告)号：CN102751903B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201210245018.9

申请日：2012-07-16

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 高志山 ,  袁群 ,  朱波

IPC: H02N2/02 ,  H02N2/04

Abstract: 本发明涉及一种具有大伸长量的刚性直簧移相器，包括主底板、侧边锁紧装置、PZT固定装置和PZT元件，侧边锁紧装置位于主底板的两侧，PZT固定装置位于主底板的中间下方，并与PZT元件直接接触，两者成前后关系，其特征在于：其中主底板由弹簧结构、正向沉孔、反向沉孔以及位于中心位置的空腔组成；移相器通过正向沉孔固定在使用平台上，并通过反向沉孔与被移动器件固定，PZT元件通过PZT固定装置固定在空腔内；该移相器仅使用单PZT，以及结构简单的移相器机械装置（两组刚性直弹簧）就可实现准确、高灵敏度的大行程移相。