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公开(公告)号：CN102944138A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210473888.1
申请日：2012-11-21
Applicant: 南京理工大学
IPC: F42B3/13
Abstract: 本发明公开了一种电火工品用半导体桥换能芯片，包括多晶硅桥台阶、电极和绝缘层多晶硅桥台阶与电流方向垂直方向的两端为内凹的圆弧形，本发明因为只需要在将半导体桥的桥区两端设计为圆弧形状桥区，使其在电磁场的环境中场强密度均匀，不易出现场强在局部集中密度增强的问题，同时两端圆弧形状的桥区还保留了火工品的发火临界能量低的需求，结构特别简单不需要增加成本；容易同步实现发火临界能量低发火可靠性的需求和提高抗静电强度的要求。
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公开(公告)号：CN103159186A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110413255.7
申请日：2011-12-10
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种三维有序大孔金属氧化物基纳米含能材料及其制备方法，整个制备工艺包括以下六个部分：1.微胶球乳液的制备；2.微胶球在基片上的组装；3.金属氧化物前驱液的制备；4.金属氧化物前驱液填充微胶球间隙；5.微胶球模板的去除；6.纳米活性金属与三维有序大孔金属氧化物的组装。与现有技术相比，该方法制备出多种金属氧化物的三维有序大孔结构，与金属燃料复合形成后解决了纳米金属粒子团聚的问题，且该薄膜材料稳定性好，能量释放速率快、能量密度高，制备工艺简单快捷，适合大规模生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102278769A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110231276.7
申请日：2011-08-12
Applicant: 南京理工大学
IPC: F23Q3/00
Abstract: 本发明公开了一种孔内嵌导电含能材料的点火器件及其制法，包括基底、电极，在基底上设置两个电极，在两个电极之间的基底上进行腐蚀形成多孔材料，在多孔材料中填充能导电的含能材料从而构成电桥，使电桥通电后产生火花。本发明在器件电极之间由于有金属等导电物质的存在，解决了上述两个专利中点火器件的电流难以导通的难题，使得器件更容易使用，省去了含能材料的装药等过程，且其装药量少，因此其生产的安全性得到了很大的提高。
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公开(公告)号：CN202328355U
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201120293260.4
申请日：2011-08-12
Applicant: 南京理工大学
IPC: F23Q3/00
Abstract: 本实用新型公开了一种孔内嵌导电含能材料的点火器，包括基底、电极，在基底上设置两个电极，在两个电极之间的基底上进行腐蚀形成多孔材料，在多孔材料中填充能导电的含能材料从而构成电桥，使电桥通电后产生火花。本实用新型在器件电极之间由于有金属等导电物质的存在，解决了上述两个专利中点火器件的电流难以导通的难题，使得器件更容易使用，省去了含能材料的装药等过程，且其装药量少，因此其生产的安全性得到了很大的提高。
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公开(公告)号：CN201262533Y
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200820035298.X
申请日：2008-05-08
Applicant: 南京理工大学
IPC: F42B3/13
Abstract: 本实用新型公开了一种半导体电阻桥电极塞。该电极塞将半导体桥芯片用环氧胶粘结在环氧树脂基板上，该半导体桥芯片上的两个电极分别用金属丝与环氧树脂基板上的两个基板电极相连；将环氧树脂基板装在聚乙烯塑料塞顶端，突出于聚乙烯塑料塞上的两根脚线上端穿入已封装半导体桥芯片的环氧树脂基板的两个电极孔中，锡焊连接两根脚线与环氧树脂基板上的两个基板电极，使两根脚线与半导体桥芯片构成电通路。本实用新型具有良好的抗电磁波、杂散电流和静电的性能，但在作用时又具有作用迅速、可靠性好的特点。
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公开(公告)号：CN202974055U
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201220618921.0
申请日：2012-11-21
Applicant: 南京理工大学
IPC: F42B3/13
Abstract: 本实用新型公开了一种电火工品用半导体桥换能芯片，包括多晶硅桥台阶、电极和绝缘层多晶硅桥台阶与电流方向垂直方向的两端为内凹的圆弧形，本实用新型因为只需要在将半导体桥的桥区两端设计为圆弧形状桥区，使其在电磁场的环境中场强密度均匀，不易出现场强在局部集中密度增强的问题，同时两端圆弧形状的桥区还保留了火工品的发火临界能量低的需求，结构特别简单不需要增加成本；容易同步实现发火临界能量低发火可靠性的需求和提高抗静电强度的要求。
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公开(公告)号：CN2812502Y
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200520074029.0
申请日：2005-07-29
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本实用新型公开了一种电火工品防静电用插塞。它包括金属外壳及设置在该金属外壳内的插塞，在由非金属材料制成的插塞的上端面与金属外壳之间设置装填药剂的凹坑，在插塞上端面的凹坑内设置两根穿过插塞的金属脚线，该两根金属脚线在凹坑内的两端由两根金属引线分别与设置在插塞的上端面上的半导体桥芯片连接。本实用新型与现有技术相比，其显著优点是：通过凹坑设计，在插塞设计上就实现了提高绝缘强度，结构简单、可靠性好；在插塞上设计的导电条能够在脚壳之间形成可靠的空气泄放通道。
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