高碘含量I2-MBC正极材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN112838202A

    公开(公告)日:2021-05-25

    申请号:CN201911156083.2

    申请日:2019-11-22

    Abstract: 本发明公开了一种高碘含量I2‑MBC正极材料及其制备方法,其步骤为:将多孔碳纤维材料置于硼酸溶液中浸泡,取出干燥,于保护气氛下高温退火获得硼酸改性后的碳材料;将硼酸改性后的碳材料和粉末碘混合后,进行水热反应,熔融获得所述的正极材料。将该正极材料在有机钠离子电池体系中进行测试:当电流密度为0.1A g‑1,可逆容量可达到243 mAh g‑1,在1A g‑1电流密度下,循环1000圈后容量可保持87%。该正极材料不仅具有作碘为机钠离子电池正极材料的共性:高电位、高的能量密度,而且具有超长的电化学循环稳定性、超高的活性物质利用率。

    高碘含量I2-MBC正极材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN112838202B

    公开(公告)日:2022-04-19

    申请号:CN201911156083.2

    申请日:2019-11-22

    Abstract: 本发明公开了一种高碘含量I2‑MBC正极材料及其制备方法,其步骤为:将多孔碳纤维材料置于硼酸溶液中浸泡,取出干燥,于保护气氛下高温退火获得硼酸改性后的碳材料;将硼酸改性后的碳材料和粉末碘混合后,进行水热反应,熔融获得所述的正极材料。将该正极材料在有机钠离子电池体系中进行测试:当电流密度为0.1A g‑1,可逆容量可达到243 mAh g‑1,在1A g‑1电流密度下,循环1000圈后容量可保持87%。该正极材料不仅具有作碘为机钠离子电池正极材料的共性:高电位、高的能量密度,而且具有超长的电化学循环稳定性、超高的活性物质利用率。

    阴离子改性的纳米线Co3O4阵列制备方法

    公开(公告)号:CN112142000A

    公开(公告)日:2020-12-29

    申请号:CN201910574608.8

    申请日:2019-06-28

    Abstract: 本发明公开了阴离子改性的纳米线Co3O4阵列制备方法,该其方法包括:通过水热,在碳布上合成均匀的Co3O4纳米线阵列;再将生长在碳布上的Co3O4纳米线阵列通过管式炉磷化,得到表面带磷酸盐离子官能团的样品;在磷化改性的基础上,将表面带官能团的Co3O4分别使用1M KI、0.1M K3[Fe(CN)6]和1M Na2SO3溶液进行线性循环伏安(CV)测试,以5mV/s扫速扫10圈后取出,用去离子水清洗干净。本发明涉及的阴离子改性属于表面改性手段,在提升Co3O4容量同时不引起相变,本发明对进一步提升过渡族金属氧化物电极材料比容量具有极其重要的意义。

    阴离子改性的纳米线Co3O4阵列制备方法

    公开(公告)号:CN112142000B

    公开(公告)日:2022-10-28

    申请号:CN201910574608.8

    申请日:2019-06-28

    Abstract: 本发明公开了阴离子改性的纳米线Co3O4阵列制备方法,该其方法包括:通过水热,在碳布上合成均匀的Co3O4纳米线阵列;再将生长在碳布上的Co3O4纳米线阵列通过管式炉磷化,得到表面带磷酸盐离子官能团的样品;在磷化改性的基础上,将表面带官能团的Co3O4分别使用1M KI、0.1M K3[Fe(CN)6]和1M Na2SO3溶液进行线性循环伏安(CV)测试,以5mV/s扫速扫10圈后取出,用去离子水清洗干净。本发明涉及的阴离子改性属于表面改性手段,在提升Co3O4容量同时不引起相变,本发明对进一步提升过渡族金属氧化物电极材料比容量具有极其重要的意义。

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