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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111293217B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN201910883643.8
申请日：2019-09-18
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明属于自旋电子技术领域，具体涉及一种基于应力增强铁磁/重金属薄膜体系中电荷流‑自旋流有效转换效率的方法。该方法是，利用柔性基底可弯曲特性在铁磁/重金属薄膜生长过程中施加预应力的方式增强上述铁磁/重金属薄膜体系中电荷流‑自旋流有效换效率。本发明的方法实施简单易行，实现电荷流与自旋流的高效转换，有助于基于自旋轨道耦合的电子器件的开发，具有重要的科学意义和实用价值。
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公开(公告)号：CN111293217A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201910883643.8
申请日：2019-09-18
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明属于自旋电子技术领域，具体涉及一种基于应力增强铁磁/重金属薄膜体系中电荷流-自旋流有效转换效率的方法。该方法是，利用柔性基底可弯曲特性在铁磁/重金属薄膜生长过程中施加预应力的方式增强上述铁磁/重金属薄膜体系中电荷流-自旋流有效换效率。本发明的方法实施简单易行，实现电荷流与自旋流的高效转换，有助于基于自旋轨道耦合的电子器件的开发，具有重要的科学意义和实用价值。
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公开(公告)号：CN110724909A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910965484.6
申请日：2019-10-12
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种低阻尼大自旋霍尔角的稀土基合金材料及其制备方法，属于自旋电子学新材料技术领域。该材料为铜铽合金薄膜，其组分为Cu1-xTbx，0.05＜x≤0.47，晶体结构为非晶。本发明通过调控铽元素的比例，可以调节材料的自旋霍尔角与自旋混合电导，使得体系同时具有高的自旋霍尔角度与较低的磁阻尼，可以满足高效低能耗的新型自旋电子学器件的使用需求。
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公开(公告)号：CN110724909B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201910965484.6
申请日：2019-10-12
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种低阻尼大自旋霍尔角的稀土基合金材料及其制备方法，属于自旋电子学新材料技术领域。该材料为铜铽合金薄膜，其组分为Cu1‑xTbx，0.05＜x≤0.47，晶体结构为非晶。本发明通过调控铽元素的比例，可以调节材料的自旋霍尔角与自旋混合电导，使得体系同时具有高的自旋霍尔角度与较低的磁阻尼，可以满足高效低能耗的新型自旋电子学器件的使用需求。
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公开(公告)号：CN114497358A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202011261925.3
申请日：2020-11-12
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于应力调控铁磁/重金属薄膜体系中各向异性阻尼的方法。所述方法通过将铁磁/重金属薄膜体系生长在柔性可弯曲衬底上，利用柔性基底可弯曲特性在铁磁/重金属薄膜生长过程中施加预应力的方法来调控铁磁/重金属薄膜体系中的各向异性磁阻尼。本发明方法实施难度低，易于实现铁磁/重金属薄膜体系的各向异性阻尼的调控，适用于自旋轨道耦合的电子器件领域。
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