公开(公告)号：CN112144088B

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202010849756.9

申请日：2020-08-21

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 周沁怡 ,  张健鹏 ,  但雨欣 ,  王安成 ,  朱绪飞 ,  宋晔

IPC: C25D11/26

Abstract: 本发明公开了一种快速制备阳极氧化钛纳米管阵列膜的方法，其步骤为：将抛光的钛片折成“U”字形，钛片的第一端插入到第一电解池中，钛片的第二端插入到第二电解池中，第一电解池设置第一石墨板电极，第二电解池设置第二石墨板电极，两石墨板电极分别与钛片的第一端和第二端平行，并且距离相等，通电进行恒压阳极氧化处理。本发明在封闭型双极电化学阳极氧化条件下，将钛片在含氟电解液中快速均匀稳定地生成规整的氧化钛纳米管阵列膜，纳米管的生长速率可达到2.0μm min‑1以上，本方法可以通过改变两个电解池中的电解液的氟化铵浓度以及阴极电解池中钛片面积的大小来控制氧化膜的生长速度，并且在大电流密度下生长的氧化膜不容易出现击穿现象。

公开(公告)号：CN112144088A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010849756.9

申请日：2020-08-21

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 周沁怡 ,  张健鹏 ,  但雨欣 ,  王安成 ,  朱绪飞 ,  宋晔

IPC: C25D11/26

Abstract: 本发明公开了一种快速制备阳极氧化钛纳米管阵列膜的方法，其步骤为：将抛光的钛片折成“U”字形，钛片的第一端插入到第一电解池中，钛片的第二端插入到第二电解池中，第一电解池设置第一石墨板电极，第二电解池设置第二石墨板电极，两石墨板电极分别与钛片的第一端和第二端平行，并且距离相等，通电进行恒压阳极氧化处理。本发明在封闭型双极电化学阳极氧化条件下，将钛片在含氟电解液中快速均匀稳定地生成规整的氧化钛纳米管阵列膜，纳米管的生长速率可达到2.0μm min‑1以上，本方法可以通过改变两个电解池中的电解液的氟化铵浓度以及阴极电解池中钛片面积的大小来控制氧化膜的生长速度，并且在大电流密度下生长的氧化膜不容易出现击穿现象。