LiMnxOy@C三维纳米片阵列、制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN110993371A

    公开(公告)日:2020-04-10

    申请号:CN201911156111.0

    申请日:2019-11-22

    Abstract: 本发明公开了一种三LiMnxOy@C三维纳米片阵列、制备方法及其应用。所述的三维纳米片阵列表面富含氧空位,由碳层包覆的MnO,γ-MnO2及LiMn2O4构成的复合物组成,以Mn(CH3COO)2为原料,Na2SO4为电解质,水作为溶剂,泡沫镍作为集流体,通过电化学沉积法制备前驱体,再将其转移到LiOH水溶液中通过水热反应嵌锂,最后将嵌锂后的前驱体浸泡在葡萄糖水溶液中,再经过Ar/H2退火得到表面富含氧空位缺陷的三维LiMnxOy@C纳米片阵列材料。该材料具有三维阵列结构,利于电解质进入与活性材料反应,富含氧空位,电化学性能得到有效提高,同时包覆的碳层可以提高电极材料的导电性和机械稳定性;制备方法简单环保,不需要复杂的后处理过程。

    LiMnxOy@C三维纳米片阵列、制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN110993371B

    公开(公告)日:2021-09-03

    申请号:CN201911156111.0

    申请日:2019-11-22

    Abstract: 本发明公开了一种三LiMnxOy@C三维纳米片阵列、制备方法及其应用。所述的三维纳米片阵列表面富含氧空位,由碳层包覆的MnO,γ‑MnO2及LiMn2O4构成的复合物组成,以Mn(CH3COO)2为原料,Na2SO4为电解质,水作为溶剂,泡沫镍作为集流体,通过电化学沉积法制备前驱体,再将其转移到LiOH水溶液中通过水热反应嵌锂,最后将嵌锂后的前驱体浸泡在葡萄糖水溶液中,再经过Ar/H2退火得到表面富含氧空位缺陷的三维LiMnxOy@C纳米片阵列材料。该材料具有三维阵列结构,利于电解质进入与活性材料反应,富含氧空位,电化学性能得到有效提高,同时包覆的碳层可以提高电极材料的导电性和机械稳定性;制备方法简单环保,不需要复杂的后处理过程。

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