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公开(公告)号:CN109557336A
公开(公告)日:2019-04-02
申请号:CN201811617230.7
申请日:2018-12-28
Applicant: 南京理工大学
IPC: G01P15/097
Abstract: 本发明公开一种静电负刚度谐振式加速度计的敏感结构及其使用方法,静电负刚度谐振式加速度计的敏感结构包括相邻布置的第一质量块和第二质量块、第一静电驱动部分、第一检测部分、第一敏感部分、第二静电驱动部分、第二检测部分、第二敏感部分、第一至第八固定基座、第一至第八弹性连接梁和质量块弹性连接件。先将两个质量块驱动到驱动模态,在敏感部分加上初始电压,敏感部分会产生静电力,计算出初始静电刚度,并且这时d1、d2相对于开始的位置已经发生了变化,当有加速度加在质量块上的时候质量块的位置发生变化导致d1、d2再次发生变化,进而导致静电刚度发生改变,谐振频率发生改变,从而达到用谐振频率敏感加速度的目的。
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公开(公告)号:CN109110724A
公开(公告)日:2019-01-01
申请号:CN201811158479.6
申请日:2018-09-30
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于MEMS力敏感器件的二级应力隔离结构(3),包括外部框架结构(14)以及设置在外部框架结构(14)内的力敏感结构(9),所述外部框架结构(14)包括内框架(15),所述内框架(15)的上下两端分别通过至少一个应力集中梁(12)与对应的应力衰减梁(13)连接,所述应力衰减梁(13)通过多个柔性连接(11)与位于柔性连接(11)内部的固定锚点(10)相连字,本发明能够实现二级应力释放,所述柔性连接(11)为一级应力隔离,应力衰减梁(13)与应力集中梁(12)为短粗的刚性梁构成过渡框架,作为二级应力隔离,能够在敏感结构层上隔绝敏感结构工艺与封装过程中产生的应力。
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公开(公告)号:CN112051445A
公开(公告)日:2020-12-08
申请号:CN202010800984.7
申请日:2020-08-11
Applicant: 南京理工大学
IPC: G01R23/10
Abstract: 本发明属于测频电路技术领域,具体涉及一种基于相位推算的正弦波频率数字检测方法及装置。所述方法在数字正弦波上连续采样四个点,四个采样点的采样周期为T,根据四个连续的采样点计算出正弦波频率。本发明的方法,只需在正弦波周期上连续采样几个点即可计算频率值,且由于一个正弦波周期可以得到多组采样点进而计算得到多个频率值,频率检测实时性高;本发明基于相位推算的正弦波频率数字检测方法,对于正弦波频率的测量不需要将正弦波转化为方波,直接对正弦波采样测频,减少了转化过程中的误差,提高了测量精度。
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公开(公告)号:CN109110724B
公开(公告)日:2024-08-02
申请号:CN201811158479.6
申请日:2018-09-30
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于MEMS力敏感器件的二级应力隔离结构(3),包括外部框架结构(14)以及设置在外部框架结构(14)内的力敏感结构(9),所述外部框架结构(14)包括内框架(15),所述内框架(15)的上下两端分别通过至少一个应力集中梁(12)与对应的应力衰减梁(13)连接,所述应力衰减梁(13)通过多个柔性连接(11)与位于柔性连接(11)内部的固定锚点(10)相连字,本发明能够实现二级应力释放,所述柔性连接(11)为一级应力隔离,应力衰减梁(13)与应力集中梁(12)为短粗的刚性梁构成过渡框架,作为二级应力隔离,能够在敏感结构层上隔绝敏感结构工艺与封装过程中产生的应力。
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公开(公告)号:CN209231367U
公开(公告)日:2019-08-09
申请号:CN201822223789.3
申请日:2018-12-28
Applicant: 南京理工大学
IPC: G01P15/097
Abstract: 本实用新型公开一种静电负刚度谐振式加速度计的敏感结构,静电负刚度谐振式加速度计的敏感结构包括相邻布置的第一质量块和第二质量块、第一静电驱动部分、第一检测部分、第一敏感部分、第二静电驱动部分、第二检测部分、第二敏感部分、第一至第八固定基座、第一至第八弹性连接梁和质量块弹性连接件。先将两个质量块驱动到驱动模态,在敏感部分加上初始电压,敏感部分会产生静电力,计算出初始静电刚度,并且这时d1、d2相对于开始的位置已经发生了变化,当有加速度加在质量块上的时候质量块的位置发生变化导致d1、d2再次发生变化,进而导致静电刚度发生改变,谐振频率发生改变,从而达到用谐振频率敏感加速度的目的。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN209024198U
公开(公告)日:2019-06-25
申请号:CN201821615013.X
申请日:2018-09-30
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本实用新型公开了一种应用于MEMS力敏感器件的二级应力隔离结构(3),包括外部框架结构(14)以及设置在外部框架结构(14)内的力敏感结构(9),所述外部框架结构(14)包括内框架(15),所述内框架(15)的上下两端分别通过至少一个应力集中梁(12)与对应的应力衰减梁(13)连接,所述应力衰减梁(13)通过多个柔性连接(11)与位于柔性连接(11)内部的固定锚点(10)相连字,本实用新型能够实现二级应力释放,所述柔性连接(11)为一级应力隔离,应力衰减梁(13)与应力集中梁(12)为短粗的刚性梁构成过渡框架,作为二级应力隔离,能够在敏感结构层上隔绝敏感结构工艺与封装过程中产生的应力。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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