一种具有缺陷g-C3N4纳米片光催化剂的制备方法

    公开(公告)号:CN112246272A

    公开(公告)日:2021-01-22

    申请号:CN202011152023.6

    申请日:2020-10-23

    Abstract: 本发明公开了一种具有缺陷g‑C3N4纳米片光催化剂的制备方法,属于半导体光催化材料制备的技术领域。该方法包括以下步骤:1)称取三聚氰胺,放置于坩埚中,在马弗炉中升温煅烧,500‑580℃煅烧1‑6h,冷却至室温,研磨成粉末;2)取步骤1)获得的粉末样品,放置于磁舟中,在马弗炉中再次升温煅烧,480‑620℃煅烧1‑6h,冷却至室温,研磨成粉末,得到具有缺陷g‑C3N4纳米片光催化剂。本申请通过调控温度将块状g‑C3N4剥离为纳米片并构建缺陷,使其具有更高的光催化性能。制备方法操作简单,重复性高,制备得到的具有缺陷的g‑C3N4纳米片光催化剂对于染料、抗生素的降解都表现出了较高的降解活性。

Patent Agency Ranking