公开(公告)号：CN119918279A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202510028333.3

申请日：2025-01-08

Applicant: 南京林业大学

Inventor： 何晶晶 ,  刘凌霄 ,  曹沁玥 ,  顾珺依 ,  胡袁昊 ,  伍依雯 ,  郭艳东 ,  颜晓红 ,  花敏

IPC: G06F30/20 ,  G06F30/17 ,  G06F17/16 ,  G16C10/00 ,  G16C60/00

Abstract: 本发明公开了一种基于二维MnBi2Te4的磁性隧道结的设计方法，包以下步骤：（1）计算MnBi2Te4和MoSi2N4的结构与电子结构，确定MnBi2Te4和MoSi2N4的电子性质；（2）对MnBi2Te4和MoSi2N4进行扩胞操作，搭建器件模型；（3）对器件模型进行优化；（4）改变MnBi2Te4的磁矩，获取平行和反平行两种构型，计算两种构型下的I‑V曲线；（5）基于所得的I‑V曲线计算磁阻率；计算沿电子传输方向的自旋分辨投影态密度，分析磁阻来源；（6）得到解决读写问题冲突的理论模型；本发明提高了磁阻率。