公开(公告)号：CN112542285B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202011180551.2

申请日：2020-10-29

Applicant: 南京工程学院

Inventor： 杨少锋 ,  温佳楠 ,  谢静宜 ,  刘贤 ,  黄桂香 ,  林书弘 ,  韩冰

IPC: H01F1/33 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明公开了一种自氧化生成核壳结构的高熵软磁材料及其制备方法，以软磁纳米铁钴镍主元高熵合金为核、稀土铈自氧化的CeO2为壳，形成自氧化的CeO2包覆纳米高熵合金磁晶的粉体材料。制备方法包括设计出具有软磁性能的高熵合金体系，按照配比进行真空高能球磨制取微纳米的以铁钴镍为主元的磁性高熵合金粉体；采用稀土铈自氧化法制备氧化铈为壳、微纳米高熵合金为核的核壳结构磁性粉体。本发明获得的软磁性粉体材料具有较高的磁饱和电阻、较低的矫顽力，可以降低铁损。

公开(公告)号：CN115505186A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202110700786.8

申请日：2021-06-23

Applicant: 南京工程学院

Inventor： 张倩 ,  李亮 ,  杭祖圣 ,  余慧丽 ,  董铁男 ,  沈磊 ,  丰柳 ,  谢静宜 ,  徐伯强

IPC: C08L23/06 ,  C08L91/06 ,  C08K9/04 ,  C08K3/28 ,  C08K5/521 ,  C08K5/3492 ,  C08K13/06 ,  H01B3/44

Abstract: 本发明涉及电线电缆材料制备技术领域，且公开了一种含三聚氰胺间接插层g‑C3N4的阻燃电缆料及其制备方法，按照质量份计，所述的阻燃电缆料由以下组分制得：高密度聚乙烯：90‑100份；三聚氰胺间接插层g‑C3N4阻燃剂：15‑25份；磷酸三(2‑氯丙基)酯(TCPP)：10份；增塑剂：10‑30份；润滑剂：0.5‑2.5份；稳定剂：4份；防老剂：1‑3份；抗氧剂：1‑2份；促进剂：1‑1.5份。本发明通过间接插层，以三聚氰胺和g‑C3N4为基础制备阻燃剂，区别于传统的电缆阻燃组成材料，提高了阻燃性能，同时降低了氢氧化物的填充量，提高了电缆材料的整体加工性能，插层后的阻燃剂兼具三聚氰胺和g‑C3N4的良好特性，从而增加了电缆材料的综合使用性能，材料的整个生产制备工艺简单，并且降低了制作成本，提高了材料生产效率。

公开(公告)号：CN112542285A

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN202011180551.2

申请日：2020-10-29

Applicant: 南京工程学院

Inventor： 杨少锋 ,  温佳楠 ,  谢静宜 ,  刘贤 ,  黄桂香 ,  林书弘 ,  韩冰

IPC: H01F1/33 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明公开了一种自氧化生成核壳结构的高熵软磁材料及其制备方法，以软磁纳米铁钴镍主元高熵合金为核、稀土铈自氧化的CeO2为壳，形成自氧化的CeO2包覆纳米高熵合金磁晶的粉体材料。制备方法包括设计出具有软磁性能的高熵合金体系，按照配比进行真空高能球磨制取微纳米的以铁钴镍为主元的磁性高熵合金粉体；采用稀土铈自氧化法制备氧化铈为壳、微纳米高熵合金为核的核壳结构磁性粉体。本发明获得的软磁性粉体材料具有较高的磁饱和电阻、较低的矫顽力，可以降低铁损。