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公开(公告)号:CN113707818A
公开(公告)日:2021-11-26
申请号:CN202110995555.4
申请日:2021-08-27
Applicant: 南京工程学院
Abstract: 本发明提供一种快速制备全印刷钙钛矿太阳能电池的方法,包括FTO导电基底的刻蚀和清洗、致密层的制备、介孔层的制备、间隔层和碳对电极的制备以及CH3NH3PbI3填充,最终得到电池器件。本发明间隔层印刷完后126℃保温6min,随后间隔层和碳对电极共同烧结,烧结工艺为112℃保温5min、175℃保温5min、350℃保温10min、400℃保温15min、500℃保温30min,升温速率为2~15℃/min。与常规方法相比,本发明将全印刷钙钛矿太阳能电池制备过程中的间隔层和碳对电极共同烧结,经简化烧结步骤后制备得到的电池,电池性能保持原有效率,缩短了电池制备时间,降低了电池制备过程中的能耗。
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公开(公告)号:CN112447408A
公开(公告)日:2021-03-05
申请号:CN202011289836.X
申请日:2020-11-18
Applicant: 南京工程学院
Abstract: 本发明提供一种二氧化钛纳米阵列结构柔性光阳极的制备方法,先将裁减好的ITO/PEN基底导电面朝上,超声清洗,烘干备用;制备异丙醇钛溶液,并将其滴加至完全覆盖ITO/PEN基底表面,静置并旋涂后放入烘箱中保温,随后进行一定时间的水热处理退火;取草酸钛钾粉末溶于蒸馏水溶解获得澄清的溶液,加入聚乙二醇200混匀;将处理后的ITO/PEN基底导电面朝下倾斜放置在反应釜底部,加入草酸钛钾溶液进行溶剂热反应,随后自然冷却,将样品取出并冲洗烘干即可获得二氧化钛光阳极。本发明方法操作简单,节约成本,以ITO/PEN为基底,通过溶剂热反应原位合成二氧化钛阵列薄膜,且获得的二氧化钛薄膜无需进一步退火来增加其结晶性和与基底之间的结合性能,同时反应物质对ITO/PEN基底无损伤。
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