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公开(公告)号：CN114540656A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210181141.2
申请日：2022-02-25
Applicant: 南京工程学院
Abstract: 本发明公开了一种高质量电子铝箔的制备方法，包括如下步骤：（1）电解法制备微纳石墨烯片；（2）利用高压气体将微纳石墨烯片吹入铝液底部，同时利用磁力搅拌使铝液翻滚、微纳石墨烯片均匀化；（3）将铝液真空静置，再浇注成铝锭，然后通过线切割去除表层富含杂质部分；（4）将铝锭铣面、铣边，退火后开坯热轧、精轧成带材；（5）将带材进行退火后多道次冷轧，再箔轧成铝箔；（6）用金属镜面加工装备对铝箔镜面抛光，精切成电子铝箔。本发明方法制备流程短、成品率高、产品性能优异，装置简单，能够获得高强高导高延性高表面涂覆能力的电子铝箔，适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN112279652A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011179210.3
申请日：2020-10-29
Applicant: 南京工程学院
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及一种Mg‑Si‑Sn‑Sb基热电材料的快速非平衡制备方法，包含以下步骤：(1)配料预压成型：在手套箱中按化学式Mg2(1+z)Si1‑xSnxSby称取Mg粉、Si粉、Mg2Si粉、Sn粉及Sb粉等原料，混合均匀后装入石墨模具并预压成坯体；(2)烧结：将装有原料的石墨模具置于放电等离子烧结系统中，抽真空后施加10MPa的预压力，然后将样品加热至903K，并迅速调节压力至30MPa，保温5min，随炉冷却；(3)取出样品，切割打磨即可得到高性能的Mg‑Si‑Sn‑Sb基块体热电材料。本发明具有制备工艺简单、能耗低、制备周期短、重复性好、所得材料微结构奇特、热电性能优异等特点。
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公开(公告)号：CN114540656B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210181141.2
申请日：2022-02-25
Applicant: 南京工程学院
Abstract: 本发明公开了一种高质量电子铝箔的制备方法，包括如下步骤：（1）电解法制备微纳石墨烯片；（2）利用高压气体将微纳石墨烯片吹入铝液底部，同时利用磁力搅拌使铝液翻滚、微纳石墨烯片均匀化；（3）将铝液真空静置，再浇注成铝锭，然后通过线切割去除表层富含杂质部分；（4）将铝锭铣面、铣边，退火后开坯热轧、精轧成带材；（5）将带材进行退火后多道次冷轧，再箔轧成铝箔；（6）用金属镜面加工装备对铝箔镜面抛光，精切成电子铝箔。本发明方法制备流程短、成品率高、产品性能优异，装置简单，能够获得高强高导高延性高表面涂覆能力的电子铝箔，适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN112408491A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011293872.3
申请日：2020-11-18
Applicant: 南京工程学院
IPC: C01G49/00
Abstract: 本发明公开了一种基于微波水热法以快速制备超薄外延铁酸铋薄膜的方法，该方法的制备流程为首先通过氧等离子体清洗钙钛矿结构的单晶衬底，以获得活化的表面，然后将衬底放在定制的聚四氟乙烯模具中，放入反应釜中，然后加入由铁盐，铋盐和氢氧化钾矿化剂混合而成的悬浊液中，微波加热反应25分钟，将衬底去除，经过稀硝酸，乙醇和去离子水超声清洗烘干后，得到超薄的外延铁酸铋薄膜，制备出的薄膜光亮平整，厚度超薄为200nm左右，且为(001)方向外延结构。
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公开(公告)号：CN112408491B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202011293872.3
申请日：2020-11-18
Applicant: 南京工程学院
IPC: C01G49/00
Abstract: 本发明公开了一种基于微波水热法以快速制备超薄外延铁酸铋薄膜的方法，该方法的制备流程为首先通过氧等离子体清洗钙钛矿结构的单晶衬底，以获得活化的表面，然后将衬底放在定制的聚四氟乙烯模具中，放入反应釜中，然后加入由铁盐，铋盐和氢氧化钾矿化剂混合而成的悬浊液中，微波加热反应25分钟，将衬底去除，经过稀硝酸，乙醇和去离子水超声清洗烘干后，得到超薄的外延铁酸铋薄膜，制备出的薄膜光亮平整，厚度超薄为200nm左右，且为(001)方向外延结构。
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