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发明公开
Ge基双栅型InGaAs nMOSFET器件及其制备方法无效

公开(公告)号：CN112563332A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202011485480.7

申请日：2020-12-16

Applicant: 南京工程学院

Inventor： 唐晓雨 , 花涛 , 刘玉杰 , 赵毅

IPC: H01L29/786 , H01L29/45 , H01L21/762 , H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种Ge基双栅型InGaAs nMOSFET器件及其制备方法，所述器件包括Ge衬底、隔离介质层、背栅金属层、背栅介质层、InGaAs薄膜、顶栅介质层、顶栅金属层和源漏区域；Ge衬底上方依次设有隔离介质层、背栅金属层，背栅金属层设有背栅电极，背栅金属层上方设置一层背栅介质层，背栅介质层的上方设置InGaAs薄膜，InGaAs薄膜设有源漏区域，InGaAs薄膜上方依次设置顶栅介质层、顶栅金属层，顶栅金属层设置顶栅电极。本发明使用金属键合的方法将InGaAs薄膜转移到Ge衬底上，工艺简单可行，增强器件可靠性；双栅InGaAsnMOSFET结构提高栅极对沟道调控能力。

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