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公开(公告)号:CN113149065B
公开(公告)日:2023-07-07
申请号:CN202110260688.7
申请日:2021-03-10
Applicant: 南京工业大学 , 宿迁市南京工业大学新材料研究院
IPC: C01G19/02 , C01B32/184 , B01J13/00 , G01N27/12
Abstract: 本发明属于纳米多孔半导体材料的制备工艺领域,涉及一种高响应度、高孔隙率和高比表面积的酸性刻蚀SnO2‑RGA气凝胶的制备方法。本发明采用水热法对金属氧化物进行晶型转变,再与石墨烯气凝胶进行交联,反应彻底,所得的材料灵敏度高;所制备的材料使用石墨烯气凝胶作为载体,酸性刻蚀后的SnO2负载于其三维网络结构上,形成p‑n异质结调控禁带宽度,可降低工作温度,提高材料整体的灵敏度和回复率。制得的酸性刻蚀SnO2‑RGO气凝胶密度为0.24~0.31g/cm3,比表面积为158~196m2/g,对0.5ppm乙醇的响应度为1.12~1.6,响应时间为24~45s。
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公开(公告)号:CN113149065A
公开(公告)日:2021-07-23
申请号:CN202110260688.7
申请日:2021-03-10
Applicant: 南京工业大学 , 宿迁市南京工业大学新材料研究院
IPC: C01G19/02 , C01B32/184 , B01J13/00 , G01N27/12
Abstract: 本发明属于纳米多孔半导体材料的制备工艺领域,涉及一种高响应度、高孔隙率和高比表面积的酸性刻蚀SnO2‑RGA气凝胶的制备方法。本发明采用水热法对金属氧化物进行晶型转变,再与石墨烯气凝胶进行交联,反应彻底,所得的材料灵敏度高;所制备的材料使用石墨烯气凝胶作为载体,酸性刻蚀后的SnO2负载于其三维网络结构上,形成p‑n异质结调控禁带宽度,可降低工作温度,提高材料整体的灵敏度和回复率。制得的酸性刻蚀SnO2‑RGO气凝胶密度为0.24~0.31g/cm3,比表面积为158~196m2/g,对0.5ppm乙醇的响应度为1.12~1.6,响应时间为24~45s。
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