公开(公告)号：CN118813253A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202310416271.4

申请日：2023-04-18

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 王建浦 ,  常进 ,  闵浩

IPC: C09K11/66 ,  H10K85/50 ,  H10K71/12 ,  H10K71/40 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  C09K11/06

Abstract: 本发明公开了一种锡基钙钛矿的制备方法，该方法是在ABX3型锡基钙钛矿的前驱体溶液中加入缺陷抑制剂D，在无反溶剂处理的条件下，利用溶液法制备得到；上述锡基钙钛矿中，A为能形成三维钙钛矿的有机或无机阳离子，B为Sn2+阳离子或Sn2+/Pb2+混合阳离子，X为卤素阴离子，D为有机铵盐、有机膦盐、有机酸及其盐、离子液体、氨基酸、维生素、嘌呤及其衍生物、嘧啶及其衍生物中的一种或多种。本发明能够抑制锡基钙钛矿结晶过程中荧光猝灭中心的形成，从而提高锡基钙钛矿的荧光量子效率和光电器件性能。

公开(公告)号：CN116322254A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202111552458.4

申请日：2021-12-17

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 王建浦 ,  常进 ,  闵浩 ,  张放 ,  张雅

IPC: H10K85/50 ,  H10K71/12 ,  H10K30/50 ,  H10K30/60

Abstract: 本发明公开了一种锡基钙钛矿薄膜及其制备方法和器件，锡基钙钛矿的结构通式为ABX3‑CxByXz，其中A为能形成三维钙钛矿的有机或无机阳离子；B为Sn2+阳离子或Sn2+/Pb2+混合阳离子；C为能形成低维钙钛矿的有机阳离子；X为卤素阴离子；x：y：z＝0‑4：0‑1：0‑6。本发明采用溶液法，在溶剂氛围存在条件下，使薄膜在原位结晶过程中发生重结晶或二次生长，从而改善薄膜的结晶性，减少薄膜缺陷态密度，提高荧光量子效率，最终提高锡基钙钛矿光电器件的效率和稳定性。

公开(公告)号：CN119707312A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202311251494.6

申请日：2023-09-26

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 王建浦 ,  常进 ,  闵浩

IPC: C03C17/34 ,  H10K30/20 ,  H10K71/12

Abstract: 本发明属于光电器件领域，公开了一种钙钛矿‑钙钛矿异质双层薄膜及应用。异质双层薄膜为LX、AX、BX2和功能性添加剂溶于极性溶剂后经一步溶液法得到，且异质双层薄膜的上下两层结构之间存在异质结界面；异质双层薄膜的其中一层为ABX3型三维钙钛矿层，另一层为低维钙钛矿层；A为CH3NH3+、HC(NH2)2+、C(NH2)3+、Cs+、Rb+和K+中的至少一种；B为Sn2+和/或Pb2+；X为F‑、Cl‑、Br‑和I‑中的至少一种。本发明通过一步溶液法即可获得具有单一异质结界面的高质量钙钛矿‑钙钛矿异质双层薄膜，且可应用于高性能光电器件。