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公开(公告)号：CN117488319A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311417826.3
申请日：2023-10-30
Applicant: 南京工业大学
IPC: C25B1/27 , C25B11/091
Abstract: 本发明提供了一种硼簇阴离子插层水滑石材料的制备方法以及其在电催化硝酸根产氨的用途，属于电催化领域。该硼簇阴离子插层的水滑石是以硼簇阴离子、金属盐以及氢氧化钠等为原料制得的，所述的硼簇阴离子插层的水滑石的为以下结构： 在本发明中简写为M1M2‑(B12H12)2‑‑LDH其中M表示金属离子。本发明的硼簇阴离子插层水滑石电催化剂较传统的水滑石催化剂来说，层间距大大增加，在电催化硝酸根产氨性能、电化学活性比表面积以及阻抗上也明显由于常规的水滑石催化剂。本发明提供的制备策略具有普适性，应用前景广泛。
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