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公开(公告)号：CN106750529A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611043229.9
申请日：2016-11-11
Applicant: 南京工业大学
IPC: C08K5/56 , C08L23/08 , C08L33/12 , C08F220/14 , C08F222/14 , C07F5/00
Abstract: 本发明公开了一种选择性近红外光响应形状记忆聚合物复合材料，采用稀土有机配合物作为选择性光热填料，采用热致形状记忆聚合物作为聚合物基体材料；所述稀土有机配合物的通式为RMmNn，其中：R表示镱或钕；M表示羧酸类有机配体，m＝0‑4；N表示共轭类有机配体，n＝0‑4。本发明还公开了选择性近红外光响应形状记忆聚合物复合材料的制备方法，也即通过物理方法和/或化学方法将选择性光热填料和聚合物基体材料混合制备得到。其中，聚合物基体材料为100份，物理方法混合时光热填料为0.1‑50份，化学方法混合时光热填料为0.1‑20份。本发明有效降低了选择性光热填料的成本，有利于选择性光响应形状记忆聚合物的推广应用。
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公开(公告)号：CN106750529B
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201611043229.9
申请日：2016-11-11
Applicant: 南京工业大学
IPC: C08K5/56 , C08L23/08 , C08L33/12 , C08F220/14 , C08F222/14 , C07F5/00
Abstract: 本发明公开了一种选择性近红外光响应形状记忆聚合物复合材料，采用稀土有机配合物作为选择性光热填料，采用热致形状记忆聚合物作为聚合物基体材料；所述稀土有机配合物的通式为RMmNn，其中：R表示镱或钕；M表示羧酸类有机配体，m＝0‑4；N表示共轭类有机配体，n＝0‑4。本发明还公开了选择性近红外光响应形状记忆聚合物复合材料的制备方法，也即通过物理方法和/或化学方法将选择性光热填料和聚合物基体材料混合制备得到。其中，聚合物基体材料为100份，物理方法混合时光热填料为0.1‑50份，化学方法混合时光热填料为0.1‑20份。本发明有效降低了选择性光热填料的成本，有利于选择性光响应形状记忆聚合物的推广应用。
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公开(公告)号：CN107418580B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201710637763.0
申请日：2017-07-31
Applicant: 南京工业大学
IPC: C09K11/85
Abstract: 本发明涉及一种提高上转换发光薄膜的制备方法。其具体步骤如下：先配制质量分数为6‑10％的单分散SiO2微球的悬浮液；然后在悬浮液中加入粘结剂和上转换荧光材料，搅拌得到自组装液；最后将两片基底垂直插入装有自组装液的容器中，使用微流控泵进行自组装，自组装得到荧光光子晶体薄膜。本发明可以获得不同厚度的荧光光子晶体薄膜，厚度可以从3.0um调节至9.0um。荧光光子晶体薄膜的厚度较大时，其禁带效应明显，上转换增强效果较好。本发明具有用料简单、成本低廉及工艺简捷的优点，容易实现规模生产。
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公开(公告)号：CN107418580A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710637763.0
申请日：2017-07-31
Applicant: 南京工业大学
IPC: C09K11/85
Abstract: 本发明涉及一种提高上转换发光薄膜的制备方法。其具体步骤如下：先配制质量分数为6-10％的单分散SiO2微球的悬浮液；然后在悬浮液中加入粘结剂和上转换荧光材料，搅拌得到自组装液；最后将两片基底垂直插入装有自组装液的容器中，使用微流控泵进行自组装，自组装得到荧光光子晶体薄膜。本发明可以获得不同厚度的荧光光子晶体薄膜，厚度可以从3.0um调节至9.0um。荧光光子晶体薄膜的厚度较大时，其禁带效应明显，上转换增强效果较好。本发明具有用料简单、成本低廉及工艺简捷的优点，容易实现规模生产。
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