公开(公告)号：CN115215657A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202110404885.1

申请日：2021-04-15

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 暴宁钟 ,  尹峰 ,  燕克兰 ,  沈丽明

IPC: C04B35/547 ,  C04B35/622 ,  H01Q15/00

Abstract: 本发明公开一种具有尖晶石结构的负折射率超材料，该尖晶石结构的负折射率超材料的通式为：xCdCr2X4·(1‑x)CuCr2X4，式中0.1≤x≤0.4，X为S、Se和Te中的任意一种。本发明包含以下步骤：（1）固相法合成粉末；（2）对合成粉末进行压片和烧结处理。本发明制备的超材料在射频波段具有负的折射率，并且制备工艺简单。

公开(公告)号：CN115215657B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202110404885.1

申请日：2021-04-15

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 暴宁钟 ,  尹峰 ,  燕克兰 ,  沈丽明

IPC: C04B35/547 ,  C04B35/622 ,  H01Q15/00

Abstract: 本发明公开一种具有尖晶石结构的负折射率超材料，该尖晶石结构的负折射率超材料的通式为：xCdCr2X4·(1‑x)CuCr2X4，式中0.1≤x≤0.4，X为S、Se和Te中的任意一种。本发明包含以下步骤：（1）固相法合成粉末；（2）对合成粉末进行压片和烧结处理。本发明制备的超材料在射频波段具有负的折射率，并且制备工艺简单。