一种涂层导体用氧化镁缓冲层的超声喷雾热解制备方法

    公开(公告)号:CN104120411A

    公开(公告)日:2014-10-29

    申请号:CN201410399643.8

    申请日:2014-08-14

    Inventor: 刘胜利 张颖

    CPC classification number: Y02E40/642

    Abstract: 本发明公开了一种涂层导体用氧化镁缓冲层的超声喷雾热解制备方法。以硝酸镁溶液为前驱液,通过超声雾化热分解的技术在NiW合金基片上外延生长氧化镁缓冲层。将清洁处理后的NiW合金基带固定于加热台上,并加热至580-630℃;以硝酸镁溶液为前驱液,利用超声雾化器将前驱液雾化喷涂在NiW合金基片,雾化喷涂采用喷涂20-60秒,停止40-120秒再重复喷涂的方式,总共持续10-30分钟,最后保温30-60分钟,从而得到MgO缓冲层。该方法无需真空系统,降低生产成本,且成膜速度快,提高生产效率。

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