一种通过掺杂不同半径离子调控未充满型铌酸锶钡材料铁电性质的方法

    公开(公告)号:CN116947488A

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN202310923715.3

    申请日:2023-07-26

    Inventor: 张善涛 郭健

    Abstract: 本发明属于陶瓷材料改性技术领域,具体涉及一种通过掺杂不同半径离子调控未充满型铌酸锶钡(SBN)材料铁电性质的方法。该方法利用SBN结构点阵中1/6的A位(包括A1和A2位)和所有C位未被占据这一特征,引入适量的碱金属离子Li+、Na+、K+来填充这些未占据格点,从而实现对铁电性质的调控。由于这些碱金属离子具有不同半径,它们能够占据的格点是不同的,这种不同的占据位置导致Li+、Na+、K+离子掺杂对SBN的铁电性质具有不同的调控作用:实验结果表明,Li+离子掺杂增强了SBN的弛豫铁电体性质、Na+离子掺杂显著增强了SBN的正常铁电体性质、而K+离子掺杂则有限度地增强了SBN的正常铁电体性质。

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