公开(公告)号：CN116002670B

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202211640738.5

申请日：2022-12-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 万昌锦 ,  徐明涛 ,  龙昊天 ,  万青

IPC: C01B32/184 ,  B22F1/054 ,  C01G15/00 ,  C01G19/00

Abstract: 本发明公开了一种用于制备高电导率激光诱导石墨烯材料的方法，包括以下步骤：(1)将高电导率材料掺入聚酰亚胺热塑液中形成混合溶液，将混合溶液涂覆在氧化硅基片上，经过热处理固化后得到复合薄膜；(2)使用激光照射步骤(1)制得的复合薄膜，得到高电导率激光诱导石墨烯材料。本发明通过激光器作用在聚酰亚胺复合薄膜上生成激光诱导石墨烯，所掺入的高电导率材料会在聚酰亚胺转化为激光诱导石墨烯的过程中跟随嵌入激光诱导石墨烯材料中，从而使得所制的激光诱导石墨烯的电导率以及激光诱导石墨烯同高电导率材料之间的粘附性得到大幅度改善。

公开(公告)号：CN116002670A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211640738.5

申请日：2022-12-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 万昌锦 ,  徐明涛 ,  龙昊天 ,  万青

IPC: C01B32/184 ,  B22F1/054 ,  C01G15/00 ,  C01G19/00

Abstract: 本发明公开了一种用于制备高电导率激光诱导石墨烯材料的方法，包括以下步骤：(1)将高电导率材料掺入聚酰亚胺热塑液中形成混合溶液，将混合溶液涂覆在氧化硅基片上，经过热处理固化后得到复合薄膜；(2)使用激光照射步骤(1)制得的复合薄膜，得到高电导率激光诱导石墨烯材料。本发明通过激光器作用在聚酰亚胺复合薄膜上生成激光诱导石墨烯，所掺入的高电导率材料会在聚酰亚胺转化为激光诱导石墨烯的过程中跟随嵌入激光诱导石墨烯材料中，从而使得所制的激光诱导石墨烯的电导率以及激光诱导石墨烯同高电导率材料之间的粘附性得到大幅度改善。

公开(公告)号：CN116171103A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202310216955.X

申请日：2023-03-08

Applicant: 南京大学

Inventor： 万青 ,  王宇远 ,  龙昊天 ,  林鑫煌

IPC: H10N70/20 ,  B23K26/362

Abstract: 本发明介绍了一种忆阻器结构及其制备方法，其中，忆阻器结构包括衬底、下电极、上电极以及介质层；衬底位于下电极底部，介质层位于下电极与上电极之间，介质层和上电极的线条与下电极的线条垂直；其制备方法为使用激光打标机对玻璃上的ITO薄膜进行激光图形化加工，加工后的ITO薄膜作为下电极；再使用磁控溅射技术沉积一层氧化钽薄膜作为介质层；接着使用热蒸镀沉积一层银薄膜，作为上电极；最后再次使用激光打标机对介质层和上电极进行图形化加工。本申请设计的忆阻器制备方法，通过使用激光图形化方法分别对介质层、上电极、下电极进行处理，因此能够制备出不同大小、不同形状的忆阻器。