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公开(公告)号：CN112537796B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202011420585.4
申请日：2020-12-08
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种低能光激励的材料无损减薄方法，包括以下步骤：将二维材料原位生长或从其它支撑物上转移到目标衬底上；对二维材料进行表面预处理以增加其表面缺陷密度；控制合适的刻蚀条件；在待减薄材料上施加刻蚀激励。本发明利用适当的表面预处理获得材料表面和内部的不同刻蚀能力；减薄后材料仍具有晶格完整性和优异的物理特性；减薄精度达到原子级控制水平；本发明实现了原位定向刻蚀能力，与微电子工艺兼容；采用低功率刻蚀激励，提高工艺可控性。
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公开(公告)号：CN113421826B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202110675975.4
申请日：2021-06-18
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/3213
Abstract: 本发明提供了一种二维层状材料的原子级精度无损逐层刻蚀方法，包括以下步骤：利用表面处理技术，在待刻蚀材料表层制造晶格缺陷；在待刻蚀材料表层上沉积热扩散牺牲材料；将待刻蚀材料在一定温度下热退火，使扩散牺牲材料扩散进入待刻蚀材料表层，形成合金层；利用选择性化学反应去除扩散牺牲材料及其合金层，完成局部刻蚀；待刻蚀二维层状材料包括金属硫化物、金属硒化物、金属碲化物、石墨烯、黑磷中的一种或组合；扩散牺牲材料包括低原子半径金属、低原子半径非金属材料、小分子有机物中的一种或组合。本发明中牺牲层没有扩散进入待刻蚀材料的内部保留层，因而刻蚀工艺不损害材料保留层晶格，保持了材料的本征电学性能，是一种无损刻蚀技术。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112537796A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202011420585.4
申请日：2020-12-08
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种低能光激励的材料无损减薄方法，包括以下步骤：将二维材料原位生长或从其它支撑物上转移到目标衬底上；对二维材料进行表面预处理以增加其表面缺陷密度；控制合适的刻蚀条件；在待减薄材料上施加刻蚀激励。本发明利用适当的表面预处理获得材料表面和内部的不同刻蚀能力；减薄后材料仍具有晶格完整性和优异的物理特性；减薄精度达到原子级控制水平；本发明实现了原位定向刻蚀能力，与微电子工艺兼容；采用低功率刻蚀激励，提高工艺可控性。
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公开(公告)号：CN113097074B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202110365524.0
申请日：2021-04-06
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/44 , H01L21/34 , H01L21/683
Abstract: 本发明介绍了一种二维材料的图形化电极集成与表面钝化方法，其步骤分为：步骤1：在底部介质上制作图形化金属电极，并清理介质表面有机物残留；步骤2：用转移支撑层逐次粘附起顶部介质和目标二维材料，形成目标二维材料/顶部介质叠层结构；步骤3：叠层结构与电极对准后，高温加热软化支撑层中的聚合物薄膜，释放叠层结构至底部介质及电极上；步骤4：加热融化并溶解清洗顶部介质上的聚合物薄膜，完成器件制备。步骤2分为：将顶部介质由转移支架层表面释放至目标二维材料表面；然后用转移支撑层粘附起所述叠层结构。本发明提出“先电极后转移材料”的工艺步骤，避免了复杂的工艺步骤，同时实现了图形化电极集成与材料的表面钝化两个目的。
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公开(公告)号：CN113097074A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110365524.0
申请日：2021-04-06
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/44 , H01L21/34 , H01L21/683
Abstract: 本发明介绍了一种二维材料的图形化电极集成与表面钝化方法，其步骤分为：步骤1：在底部介质上制作图形化金属电极，并清理介质表面有机物残留；步骤2：用转移支撑层逐次粘附起顶部介质和目标二维材料，形成目标二维材料/顶部介质叠层结构；步骤3：叠层结构与电极对准后，高温加热软化支撑层中的聚合物薄膜，释放叠层结构至底部介质及电极上；步骤4：加热融化并溶解清洗顶部介质上的聚合物薄膜，完成器件制备。步骤2分为：将顶部介质由转移支架层表面释放至目标二维材料表面；然后用转移支撑层粘附起所述叠层结构。本发明提出“先电极后转移材料”的工艺步骤，避免了复杂的工艺步骤，同时实现了图形化电极集成与材料的表面钝化两个目的。
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公开(公告)号：CN119894021A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510072761.6
申请日：2025-01-17
Applicant: 南京大学
IPC: H10D30/01 , H10D64/01 , H10D62/17 , B82Y40/00 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种非EUV技术的亚纳米节点晶体管的制备方法，通过将晶体管的源电极、漏电极、电极隔绝层分三步制作，使源、漏电极间距由隔绝层厚度来决定，实现1至10纳米超短沟道长度的晶体管。本发明针对EUV光刻方案单次精度低、设备昂贵等问题，利用半导体与电极之间的表面亲水性差异，实现介质在电极侧壁的侧向ALD生长，作为电极隔绝层，通过介质生长厚度来控制晶体管的沟道长度；由于ALD方法对介质厚度的控制优势，单次工艺精度为1纳米，远优于现有EUV光刻设备的单次工艺精度，大大简化微电子制造工艺流程，提高器件良率。
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公开(公告)号：CN113421826A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110675975.4
申请日：2021-06-18
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/3213
Abstract: 本发明提供了一种二维层状材料的原子级精度无损逐层刻蚀方法，包括以下步骤：利用表面处理技术，在待刻蚀材料表层制造晶格缺陷；在待刻蚀材料表层上沉积热扩散牺牲材料；将待刻蚀材料在一定温度下热退火，使扩散牺牲材料扩散进入待刻蚀材料表层，形成合金层；利用选择性化学反应去除扩散牺牲材料及其合金层，完成局部刻蚀；待刻蚀二维层状材料包括金属硫化物、金属硒化物、金属碲化物、石墨烯、黑磷中的一种或组合；扩散牺牲材料包括低原子半径金属、低原子半径非金属材料、小分子有机物中的一种或组合。本发明中牺牲层没有扩散进入待刻蚀材料的内部保留层，因而刻蚀工艺不损害材料保留层晶格，保持了材料的本征电学性能，是一种无损刻蚀技术。
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