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公开(公告)号：CN116053729B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202310333817.X
申请日：2023-03-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种基于纳米磁体阵列的可重构自旋波传输通道，属于磁振子电子学技术领域，在底层铁磁层上布置纳米小磁体阵列，纳米小磁体阵列包括排列方向不同的两个部分，通过调节纳米小磁体的间距以及不同纳米小磁体阵列的间距来调节磁畴壁中的自旋波传输特性。本发明小磁体的排列不需要满足自旋冰的冰规则，可以更自由的调节小磁体之间的间距，可以通过调节两部分磁体阵列的磁化方向来调节中间铁磁层中的磁畴壁状态，进而实现可重构的自旋波传输通道。且通过小磁体的间距以及小磁体上下阵列的间距来调节磁畴壁中的自旋波传输特性。纳米小磁体阵列可以方便的通过外加磁场来改变整个样品的磁化分布，且不需要偏置磁场，控制和应用更加方便。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119252595B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411780232.3
申请日：2024-12-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种可原位调控的人工自旋冰结构及其调控方法，属于人工自旋冰技术研究领域。本发明的结构通过EBL及EBE在硅片表面生长纳米磁体，纳米磁体中包含有半圆尖端和椭圆尖端两种不同形状、大小的纳米磁体，以半圆尖端的纳米磁体作为背景，将椭圆尖端的纳米磁体按一定规律排布于其中，然后通过不同大小和方向的外加磁场进行初始磁化和退磁化处理，实现了同一个样品上基态的原位切换。本发明的原位可调的人工自旋冰结构，通过外加磁场原位调控出体系的多种磁化分布状态，丰富了这种结构在未来制作异质器件中的功能性，增大了该人工自旋冰结构的应用潜力，同时在该结构中存在着丰富的物理现象，为研究阻挫现象提供了优秀的平台。
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公开(公告)号：CN118136366B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410555608.4
申请日：2024-05-07
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种基于人工自旋冰纳米磁体的可重构磁子晶体及其重构方法，属于磁振子电子学技术领域。本发明在铁磁层上设置同尺寸、不同尖端形状的纳米小磁体阵列，将其按照一定晶格常数和方向规律进行排列；按照磁结构需要，利用两种纳米小磁体尖端不同的磁化翻转，通过施加外加磁场，来改变样品的磁化状态，从而调节铁磁层中的磁畴状态，进而实现多种具有不同频谱和空间分辨模式的磁结构。本发明对未来设计可编程磁子电路提供了新型可重构磁子晶体的方案，并且方法简单，容易在实验中实现，对神经网络储备池计算需要多种磁结构的条件提供思路。
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公开(公告)号：CN116053729A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310333817.X
申请日：2023-03-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种基于纳米磁体阵列的可重构自旋波传输通道，属于磁振子电子学技术领域，在底层铁磁层上布置纳米小磁体阵列，纳米小磁体阵列包括排列方向不同的两个部分，通过调节纳米小磁体的间距以及不同纳米小磁体阵列的间距来调节磁畴壁中的自旋波传输特性。本发明小磁体的排列不需要满足自旋冰的冰规则，可以更自由的调节小磁体之间的间距，可以通过调节两部分磁体阵列的磁化方向来调节中间铁磁层中的磁畴壁状态，进而实现可重构的自旋波传输通道。且通过小磁体的间距以及小磁体上下阵列的间距来调节磁畴壁中的自旋波传输特性。纳米小磁体阵列可以方便的通过外加磁场来改变整个样品的磁化分布，且不需要偏置磁场，控制和应用更加方便。
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公开(公告)号：CN118136366A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410555608.4
申请日：2024-05-07
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种基于人工自旋冰纳米磁体的可重构磁子晶体及其重构方法，属于磁振子电子学技术领域。本发明在铁磁层上设置同尺寸、不同尖端形状的纳米小磁体阵列，将其按照一定晶格常数和方向规律进行排列；按照磁结构需要，利用两种纳米小磁体尖端不同的磁化翻转，通过施加外加磁场，来改变样品的磁化状态，从而调节铁磁层中的磁畴状态，进而实现多种具有不同频谱和空间分辨模式的磁结构。本发明对未来设计可编程磁子电路提供了新型可重构磁子晶体的方案，并且方法简单，容易在实验中实现，对神经网络储备池计算需要多种磁结构的条件提供思路。
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公开(公告)号：CN119252595A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411780232.3
申请日：2024-12-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种可原位调控的人工自旋冰结构及其调控方法，属于人工自旋冰技术研究领域。本发明的结构通过EBL及EBE在硅片表面生长纳米磁体，纳米磁体中包含有半圆尖端和椭圆尖端两种不同形状、大小的纳米磁体，以半圆尖端的纳米磁体作为背景，将椭圆尖端的纳米磁体按一定规律排布于其中，然后通过不同大小和方向的外加磁场进行初始磁化和退磁化处理，实现了同一个样品上基态的原位切换。本发明的原位可调的人工自旋冰结构，通过外加磁场原位调控出体系的多种磁化分布状态，丰富了这种结构在未来制作异质器件中的功能性，增大了该人工自旋冰结构的应用潜力，同时在该结构中存在着丰富的物理现象，为研究阻挫现象提供了优秀的平台。
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