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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100555693C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200810025499.6
申请日：2008-05-06
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种基于可控非对称掺杂势垒量子阱结构的纳米硅基发光器件及其制备方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该发光器件在半导体衬底上淀积有硼掺杂的非晶碳化硅薄膜作为空穴势垒层；在空穴势垒层上淀积有非晶硅薄膜退火后生成的纳米硅薄膜作为发光有源层；在发光有源层上淀积有磷掺杂的非晶二氧化硅薄膜作为电子势垒层；在电子势垒层上淀积留有光学窗口的导电薄膜作为发光器件阴极；半导体衬底的背面淀积有导电薄膜作为阳极。工艺过程为制备带有量子阱结构多层薄膜，再后处理退火晶化和制备器件电极。本发明兼具高效、平衡的载流子注入结构与Si/SiO2发光体系两方面的优点，为高效硅基发光器件的实现提供了可能。
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公开(公告)号：CN101271947A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810025499.6
申请日：2008-05-06
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种基于可控非对称掺杂势垒量子阱结构的纳米硅基发光器件及其制备方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该发光器件在半导体衬底上淀积有硼掺杂的非晶碳化硅薄膜作为空穴势垒层；在空穴势垒层上淀积有非晶硅薄膜退火后生成的纳米硅薄膜作为发光有源层；在发光有源层上淀积有磷掺杂的非晶二氧化硅薄膜作为电子势垒层；在电子势垒层上淀积留有光学窗口的导电薄膜作为发光器件阴极；半导体衬底的背面淀积有导电薄膜作为阳极。工艺过程为制备带有量子阱结构多层薄膜，再后处理退火晶化和制备器件电极。本发明兼具高效、平衡的载流子注入结构与Si/SiO2发光体系两方面的优点，为高效硅基发光器件的实现提供了可能。
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公开(公告)号：CN101017873A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200710020068.6
申请日：2007-02-09
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 掺氧硅基氮化物薄膜黄绿波段发光二极管，在电阻率为4－20Ωcm的P型单晶硅片或ITO玻璃衬底上淀积a－SiNx薄膜，薄膜厚度在40－100nm之间，在a－SiNx薄膜上再镀有薄膜金属电极；P型单晶硅片的背面镀有另一电极，ITO本身构成另一电极。对于以ITO为阳极的硅基发光器件，直接在有源层上蒸镀一层1μm厚的金属铝(Al)薄膜作为阴极，Al电极为直径为3mm的圆斑，其中以ITO为阳极的一端为光出射端。
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公开(公告)号：CN100442561C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200610098062.6
申请日：2006-11-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种硅基短波长发光二极管，同时还涉及其制备方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。本发明的发光二极管在P+的硅基底上沉积有由相邻层氮组分有明显差异a-SiNx:H薄膜构成的第一组光学微腔；在第一组光学微腔上构筑有所需层数a-Si:H/SiO2多层膜构成的发光有源层；在发光有源层上沉积由相邻层氮组分有明显差异a-SiNx:H薄膜构成的第二组光学微腔；在第二组光学微腔上淀积金薄膜电极，并留有窗口。采用本发明后，可以与当前微电子工艺技术相兼容，能够显现出由于尺寸变化而引起的量子效应，达到调控低维有序体系结构和性能的目的，使非晶硅量子点走出实验室，切实应用于未来的硅基纳米光电子学器件。
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公开(公告)号：CN100446290C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200710020068.6
申请日：2007-02-09
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 掺氧硅基氮化物薄膜黄绿波段发光二极管，在电阻率为4-20Ωcm的P型单晶硅片或ITO玻璃衬底上淀积a-SiNX薄膜，薄膜厚度在40-100nm之间，在a-SiNX薄膜上再镀有薄膜金属电极；P型单晶硅片的背面镀有另一电极，ITO本身构成另一电极。对于以ITO为阳极的硅基发光器件，直接在有源层上蒸镀一层1μm厚的金属铝(Al)薄膜作为阴极，Al电极为直径为3mm的圆斑，其中以ITO为阳极的一端为光出射端。
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