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公开(公告)号:CN1491885A
公开(公告)日:2004-04-28
申请号:CN03152915.1
申请日:2003-09-02
Applicant: 南京大学
IPC: C01B21/068 , C01B31/36
Abstract: 一种生长一维Si3N4和SiC纳米结构的方法,以含硅20~80%金属合金粒子为“催化剂”并提供硅源,以含氮或碳的气体或固体为氮源和碳源,高温下在管式炉中氮化或碳化含硅合金粒子得到Si3N4和SiC一维纳米结构,高温下在管式炉中氮化或碳化含硅合金粒子的温度范围为1200-1600℃。含硅的金属合金粒子主要为Fe-Si、Ni-Si、Co-Si、Fe-Ni-Si、Fe-Co-Si、等。本发明方法引入了分别从气相(或固相)前驱物及“催化剂”合金两个渠道分别提供产物所需组元,并在催化剂液滴中发生化学反应生成目标产物这一关键环节。
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公开(公告)号:CN1608976A
公开(公告)日:2005-04-27
申请号:CN200410064768.1
申请日:2004-09-27
Applicant: 南京大学
IPC: C01B21/064 , C01B21/06 , C01B31/00 , B82B3/00
Abstract: 一种BN和B-C-N纳米胶囊或类富勒烯纳米粒子的制备方法,以含氮气体或固体为氮源,以含碳的气体或固体为碳源,以含硼20~70%的纳米“催化剂”合金粒子或单质硼作硼源,在600-900℃(管式炉中)或在微波等离子体激发下(石英管中)发生反应,可控生长BN纳米粒子、BN纳米胶囊或BN纳米胶囊和BN类富勒烯纳米粒子的混合物(如通入碳源则为B-C-N体系),其中后两种产物通过后处理,进一步生成相应的纯BN类富勒烯纳米粒子(B-C-N类富勒烯纳米粒子);本发明发展了一种制备高纯度类富勒烯纳米粒子的新方法。以此方法制得了多种BN和B-C-N纳米空心结构。
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公开(公告)号:CN1328158C
公开(公告)日:2007-07-25
申请号:CN200410064768.1
申请日:2004-09-27
Applicant: 南京大学
IPC: C01B21/064 , C01B21/06 , C01B31/00 , B82B3/00
Abstract: 一种BN和B-C-N纳米胶囊或类富勒烯纳米粒子的制备方法,以含氮气体或固体为氮源,以含碳的气体或固体为碳源,以含硼20~70%的纳米“催化剂”合金粒子或单质硼作硼源,在600-900℃(管式炉中)或在微波等离子体激发下(石英管中)发生反应,可控生长BN纳米粒子、BN纳米胶囊或BN纳米胶囊和BN类富勒烯纳米粒子的混合物(如通入碳源则为B-C-N体系),其中后两种产物通过后处理,进一步生成相应的纯BN类富勒烯纳米粒子(B-C-N类富勒烯纳米粒子);本发明发展了一种制备高纯度类富勒烯纳米粒子的新方法。以此方法制得了多种BN和B-C-N纳米空心结构。
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公开(公告)号:CN1193929C
公开(公告)日:2005-03-23
申请号:CN03152915.1
申请日:2003-09-02
Applicant: 南京大学
IPC: C01B21/068 , C01B31/36
Abstract: 一种生长一维Si3N4和SiC纳米结构的方法,以含硅20~80%金属合金粒子为“催化剂”并提供硅源,以含氮或碳的气体或固体为氮源和碳源, 高温下在管式炉中氮化或碳化含硅合金粒子得到Si3N4和SiC一维纳米结构,高温下在管式炉中氮化或碳化含硅合金粒子的温度范围为1200-1600℃。含硅的金属合金粒子主要为Fe-Si、Ni-Si、Co-Si、Fe-Ni-Si、Fe-Co-Si、等。本发明方法引入了分别从气相(或固相)前驱物及“催化剂”合金两个渠道分别提供产物所需组元,并在催化剂液滴中发生化学反应生成目标产物这一关键环节。
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