公开(公告)号：CN114765043A

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202110059185.3

申请日：2021-01-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 沙金 ,  杨洋 ,  邓上鹏

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/08 ,  G11C16/34

Abstract: 为了解决3D NAND Flash数据保留错误导致的数据可靠性差和数据保存时间短的问题，本发明公开了一种3D NAND Flash减小数据保留错误的编程方法。本发明首先通过使3D TLC/QLC型NAND Flash存储块内的部分字线按照指定的编程顺序进行第一轮的编程操作，然后根据不同存储块的P/E磨损程度不同，在经过特定的数据保存时间之后再对不同存储块的剩余字线进行第二轮的编程操作，最终使得编程块中一半字线中存储数据的保留错误大量减少，错误率上升速度大幅降低。通过使用本方法，3D TLC/QLC型NAND Flash中的一半字线中的数据的保存时间可延长80％以上，数据错误率可下降30％左右，能有效增强存储系统的可靠性。

公开(公告)号：CN109933841A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201910048624.3

申请日：2019-01-18

Applicant: 南京大学

Inventor： 沙金 ,  邓上鹏 ,  闫锋

IPC: G06F17/50 ,  B29C64/386 ,  B33Y50/00

Abstract: 本发明公开了一种基于3D打印的高密度存储方法，所述方法基于3D打印技术将需要储存的信息进行编码后打印成储存器，该方法先将数据转换为一组3D打印机可以读取并打印的STL文件，随后通过3D打印机打印出一个树脂个体作为存储器，最后通过工业级CT扫描该存储器个体，对得到的图像进行数据还原处理，得出数据。本发明所提出的存储方法能够实现三维空间的存储，有效利用存储空间，并且在高精度下可实现大容量储存。