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公开(公告)号：CN107640741B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201710653561.5
申请日：2017-08-02
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种利用叠层非晶前驱体层制备异质或合金半导体纳米线的方法，以硅锗体系为例，通过非晶硅(a‑Si)/非晶锗(a‑Ge)叠层薄膜作为前驱体，制备出自发相分离的硅锗岛链纳米线结构，采用叠层非晶薄膜作为前驱体层，通过金属液滴的吸收和平面纳米线生长过程，实现自发相分离的平面硅锗纳米线，其形貌可通过叠层的厚度以及叠加次序加以控制，调控为硅锗岛链结构；其中，当非晶锗层处于底部即a‑Si/a‑Ge结构时，硅锗纳米线中较宽的岛区为锗高浓度区域，而较细的纳米线连接为硅高浓度区域；或通过相反的叠加次序实现直径较为均匀的硅锗合金纳米线结构，或者其中包涵微区间隔的“硅‑锗”交替区域结构。
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公开(公告)号：CN108231542A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810019535.1
申请日：2018-01-09
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L21/02532 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/02592 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02672
Abstract: 利用叠层非晶前驱体层制备异质或合金半导体纳米线的方法，1)在单晶硅衬底上，蒸镀设有图案的In、Sn、Ga金属或其组合合金，2)衬底放置PECVD系统，使用氢气等离子体处理样品，使得金属层转变催化液滴；氢气等离子体处理样品1‑10分钟后，呈现出正态分布的催化金属液滴；4)在PECVD系统中，首先沉积一层第一种的半导体材料，然后至少再沉积一层第二种的半导体材料，形成异质叠层非晶层供给层用做前驱体介质层；5)在真空中或者还原性、惰性气氛中退火，使得催化金属颗粒激活后开始吸收异质叠层非晶层材料，并交替析出第一半导体与第二半导体富集岛的纳米线；为高性能场效应晶体管、异质结双极性晶体管提供关键基础技术。
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公开(公告)号：CN107640741A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710653561.5
申请日：2017-08-02
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种利用叠层非晶前驱体层制备异质或合金半导体纳米线的方法，以硅锗体系为例，通过非晶硅(a-Si)/非晶锗(a-Ge)叠层薄膜作为前驱体，制备出自发相分离的硅锗岛链纳米线结构，采用叠层非晶薄膜作为前驱体层，通过金属液滴的吸收和平面纳米线生长过程，实现自发相分离的平面硅锗纳米线，其形貌可通过叠层的厚度以及叠加次序加以控制，调控为硅锗岛链结构；其中，当非晶锗层处于底部即a-Si/a-Ge结构时，硅锗纳米线中较宽的岛区为锗高浓度区域，而较细的纳米线连接为硅高浓度区域；或通过相反的叠加次序实现直径较为均匀的硅锗合金纳米线结构，或者其中包涵微区间隔的“硅-锗”交替区域结构。
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