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公开(公告)号：CN100583579C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200810156592.0
申请日：2008-10-06
Applicant: 南京大学
Abstract: 单片集成半导体激光器阵列的制造方法，在激光器阵列中的每个激光器DFB光栅结构采用取样布拉格光栅结构，阵列中每个DFB半导体激光器波导里的光栅是取样布拉格光栅，取样布拉格光栅含有对应普通布拉格光栅的等效光栅；DFB半导体激光器的激射波长在此取样布拉格光栅的等效光栅作用带宽里，由取样布拉格光栅的取样结构的取样周期决定，改变取样周期就可改变激射波长。使用刻有各种取样图案的掩模板，增大或减小采样周期，使DFB激光器激射波长靠近或远离中心波长，实现不同的波长激射，实现多通道的多波长激光器阵列；本发明在亚微米级精度上实现各种复杂的等效相移，即对应的等效光栅具有λ/4相移，λ/8相移及CPM结构。
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公开(公告)号：CN101369718A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810156592.0
申请日：2008-10-06
Applicant: 南京大学
Abstract: 单片集成半导体激光器阵列的制造方法，在激光器阵列中的每个激光器DFB光栅结构采用取样布拉格光栅结构，阵列中每个DFB半导体激光器波导里的光栅是取样布拉格光栅，取样布拉格光栅含有对应普通布拉格光栅的等效光栅；DFB半导体激光器的激射波长在此取样布拉格光栅的等效光栅作用带宽里，由取样布拉格光栅的取样结构的取样周期决定，改变取样周期就可改变激射波长。使用刻有各种取样图案的掩模板，增大或减小采样周期，使DFB激光器激射波长靠近或远离中心波长，实现不同的波长激射，实现多通道的多波长激光器阵列；本发明在亚微米级精度上实现各种复杂的等效相移，即对应的等效光栅具有λ/4相移，λ/8相移及CPM结构。
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公开(公告)号：CN101750671B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200910264486.9
申请日：2009-12-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 基于重构-等效啁啾和等效切趾的平面波导布拉格光栅及其激光器，光栅为取样结构，光栅的真实相移或真实啁啾由重构-等效啁啾技术制作，同时在取样结构中引入等效切趾，通过沿腔长方向改变取样占空比γ实现切趾。本发明以光纤光栅设计中的等效切趾技术，结合重构-等效啁啾技术，来设计平面波导布拉格光栅器件和高性能的DFB半导体激光器。本发明在种子光栅的周期与折射率调制保持恒定的基础上，利用渐变占空比的采样结构将切趾有效地引入到平面波导布拉格光栅中，就能够消除平面波导布拉格光栅透射谱的旁瓣，使其时延谱平滑，从而设计出高性能的平面波导布拉格光栅器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101414027B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200810234184.2
申请日：2008-11-24
Applicant: 南京大学
IPC: G02B6/02
Abstract: 两次及多次曝光采样布拉格光栅，其中两次全息曝光形成的基于重构—等效啁啾技术的采样布拉格光栅，在一个采样区间分成长度相等的两个部分，写入两种不同相位的布拉格光栅。两个部分包含的布拉格光栅之间的相位差为π时，0级及所有其他偶数级影子光栅消失，±1级强度达到最大值，为均匀DFB结构光栅的64％，是一次曝光采样光栅±1级强度的两倍。将采样布拉格光栅每个采样分成等距离的m个部分，每个采样的中的第n部分的相位是n×(2π/m)，该采样光栅的1级影子光栅的有效强度最大，为均匀布拉格光栅的；或者每个采样的中的第n部分的相位是-n×(2π/m)，该采样光栅的-1级影子光栅的有效强度最大，为均匀布拉格光栅的。
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公开(公告)号：CN101924326B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201010280999.1
申请日：2010-09-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 基于特殊等效相移的DFB半导体激光器，DFB半导体激光器结构由长度相同、取样周期相同的左右两段取样布拉格光栅组成，取样周期从1微米到数十微米量级，但是左右两段取样布拉格光栅的占空比不同，前一部分的占空比为γ，后一部分的占空比则为(1-γ)，γ值的大小在0.3到0.5之间；0级子光栅中折射率调制是一个常数项。在结构中，有个等效λ/4波长相移被引入到除0级外所有影子光栅中；在种子光栅周期保持不变的情况下，只要改变取样周期的大小，就能在其±1级影子光栅中获得不同的激射波长。能较大幅度地提高DFB半导体激光器0级激射所需的阈值电流，从而抑制0级信道可能的激射模式，增加激光器主模与0级间的阈值增益差。
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公开(公告)号：CN101924326A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010280999.1
申请日：2010-09-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 基于特殊等效相移的DFB半导体激光器，DFB半导体激光器结构由长度相同、取样周期相同的左右两段取样布拉格光栅组成，取样周期从1微米到数十微米量级，但是左右两段取样布拉格光栅的占空比不同，前一部分的占空比为γ，后一部分的占空比则为(1-γ)，γ值的大小在0.3到0.5之间；0级子光栅中折射率调制是一个常数项。在结构中，有个等效λ/4波长相移被引入到除0级外所有影子光栅中；在种子光栅周期保持不变的情况下，只要改变取样周期的大小，就能在其±1级影子光栅中获得不同的激射波长。能较大幅度地提高DFB半导体激光器0级激射所需的阈值电流，从而抑制0级信道可能的激射模式，增加激光器主模与0级间的阈值增益差。
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公开(公告)号：CN101750671A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910264486.9
申请日：2009-12-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 基于重构-等效啁啾和等效切趾的平面波导布拉格光栅及其激光器，光栅为取样结构，光栅的真实相移或真实啁啾由重构-等效啁啾技术制作，同时在取样结构中引入等效切趾，通过沿腔长方向改变取样占空比γ实现切趾。本发明以光纤光栅设计中的等效切趾技术，结合重构-等效啁啾技术，来设计平面波导布拉格光栅器件和高性能的DFB半导体激光器。本发明在种子光栅的周期与折射率调制保持恒定的基础上，利用渐变占空比的采样结构将切趾有效地引入到平面波导布拉格光栅中，就能够消除平面波导布拉格光栅透射谱的旁瓣，使其时延谱平滑，从而设计出高性能的平面波导布拉格光栅器件。
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公开(公告)号：CN101414027A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810234184.2
申请日：2008-11-24
Applicant: 南京大学
IPC: G02B6/02
Abstract: 两次及多次曝光采样布拉格光栅，其中两次全息曝光形成的基于重构—等效啁啾技术的采样布拉格光栅，在一个采样区间分成长度相等的两个部分，写入两种不同相位的布拉格光栅。两个部分包含的布拉格光栅之间的相位差为π时，0级及所有其他偶数级影子光栅消失，±1级强度达到最大值，为均匀DFB结构光栅的64％，是一次曝光采样光栅±1级强度的两倍。将采样布拉格光栅每个采样分成等距离的m个部分，每个采样的中的第n部分的相位是n×(2π/m)，该采样光栅的1级影子光栅的有效强度最大，为均匀布拉格光栅的m/π×sin(π/m)×100％；或者每个采样的中的第n部分的相位是－n×(2π/m)，该采样光栅的－1级影子光栅的有效强度最大，为均匀布拉格光栅的m/π×sin(π/m)×100％。
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