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公开(公告)号：CN118969600A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411090297.5
申请日：2024-08-09
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/3105 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开一种结合垂直侧壁上的叠层结构和CMP工艺制备平面超细密排沟槽结构，并通过平面固液固的纳米线生长方法，制备出可定位的平面超细密排纳米线，并通过编程引导技术实现阵列化。本发明有望突破长期以来由于光刻技术限制无法大规模集成制备平面超细纳米线的关键技术瓶颈，在低热预算、微米级别光刻精度下且能够在没有高晶格质量的晶圆衬底上实现平面超细纳米线阵列，可大规模运用于三维集成的后端。
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