公开(公告)号：CN103513063B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201310439812.1

申请日：2013-09-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  许杰 ,  李伟 ,  张鹏展 ,  王越飞 ,  徐岭 ,  余林蔚 ,  陈坤基

IPC: G01Q60/24

Abstract: 一种纳米硅浮栅结构中的微观区域电荷注入和定量分析方法，利用原子力显微镜和开尔文探测方法实现纳米硅浮栅结构的电荷注入纳米硅浮栅结构是碳化硅/纳米硅/碳化硅三明治结构，其中样品硅衬底在原子力显微镜轻敲模式下，给原子力显微镜导电探针外加+3V和–3V的偏压扫描样品硅衬底上纳米硅浮栅结构表面，实现电荷注入；电荷注入后，原子力显微镜立即从轻敲模式切换为表面电势模式，此模式通过两步扫描和开尔文方法获得试样的表面电势信号；采用静电场分析和数值计算定量研究电荷注入，并通过静电场分析和数值计算获得电荷注入数目。

公开(公告)号：CN103000742B

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201210514093.0

申请日：2012-12-04

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  曹蕴清 ,  绪欣 ,  李淑鑫 ,  芮云军 ,  李伟 ,  徐岭 ,  陈坤基 ,  孙胜华 ,  张晓伟 ,  陆鹏 ,  许杰

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池，包括p型硅衬底，p型硅衬底上设有渐变厚度的多层非晶硅/碳化硅膜结构，渐变厚度的非晶硅/碳化硅指硅量子点/碳化硅多层膜结构，由p型硅衬底、碳化硅本征层即i层和最外层的n型纳米晶硅膜构成的p-i-n电池结构；并在表面引出电极构成电池。p型硅衬底上往表面生长的每个氢化非晶硅/碳化硅的周期中非晶硅子层厚度是逐渐减薄的；p型硅衬底上或近p型硅衬底生长的非晶硅子层最厚，往表面生长的非晶硅子层最薄。

公开(公告)号：CN103513063A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310439812.1

申请日：2013-09-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  许杰 ,  李伟 ,  张鹏展 ,  王越飞 ,  徐岭 ,  余林蔚 ,  陈坤基

IPC: G01Q60/24

Abstract: 一种纳米硅浮栅结构中的微观区域电荷注入和定量分析方法，利用原子力显微镜和开尔文探测方法实现纳米硅浮栅结构的电荷注入纳米硅浮栅结构是碳化硅/纳米硅/碳化硅三明治结构，其中样品硅衬底在原子力显微镜轻敲模式下，给原子力显微镜导电探针外加+3V和–3V的偏压扫描样品硅衬底上纳米硅浮栅结构表面，实现电荷注入；电荷注入后，原子力显微镜立即从轻敲模式切换为表面电势模式，此模式通过两步扫描和开尔文方法获得试样的表面电势信号；采用静电场分析和数值计算定量研究电荷注入，并通过静电场分析和数值计算获得电荷注入数目。

公开(公告)号：CN103000742A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210514093.0

申请日：2012-12-04

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  曹蕴清 ,  绪欣 ,  李淑鑫 ,  芮云军 ,  李伟 ,  徐岭 ,  陈坤基 ,  孙胜华 ,  张晓伟 ,  陆鹏 ,  许杰

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 带隙渐变硅量子点多层膜的太阳电池，包括p型硅衬底，p型硅衬底上设有渐变厚度的多层非晶硅/碳化硅膜结构，渐变厚度的非晶硅/碳化硅指硅量子点/碳化硅多层膜结构，由p型硅衬底、碳化硅本征层即i层和最外层的n型纳米晶硅膜构成的p-i-n电池结构；并在表面引出电极构成电池。p型硅衬底上往表面生长的每个氢化非晶硅/碳化硅的周期中非晶硅子层厚度是逐渐减薄的；p型硅衬底上或近p型硅衬底生长的非晶硅子层最厚，往表面生长的非晶硅子层最薄。